Infineon weiht neues Entwicklungszentrum für DRAMs in Vermont ein ? Entwicklung von Speicherchips für den High-End-Server- und Workstation-Markt
Williston, Vermont (USA), 25. Mai 2001 Als wichtigen Schritt für den weiteren Ausbau seiner führenden Position im DRAM-Markt hat Infineon Technologies die heutige Einweihung seines neuen 1.765 m² großen Entwicklungszentrums im amerikanischen Bundesstaat Vermont gefeiert. Am neuen Standort in Williston sollen in erster Linie High-Performance-DRAMs (Dynamic Random Access Memory) für den PC-Desktop-, Server- und Workstation-Markt entwickelt werden. Im Rahmen der Entwicklung, Tests und des Einsatzes neuer Speicherlösungen bei Kunden wird das Zentrum eng mit dem Bereich Memory Products von Infineon zusammenarbeiten.
Mit dem neuen Entwicklungszentrum in Vermont unterstreicht Infineon, dass kontinuierliche Investitionen in die Forschung hohen Stellenwert für das Unternehmen besitzen. Gleichzeitig ist der neue Standort unverzichtbar für den Erhalt unserer führenden Position als strategischer DRAM-Lieferant für unsere Kunden, erklärte Dr. Andreas von Zitzewitz, Chief Operating Officer von Infineon Technologies. In Burlington, ebenfalls im Staat Vermont, verbindet uns eine langfristige strategische Allianz mit IBM zur gemeinsamen Entwicklung von High-Performance DRAM-Speicherbausteinen. Wir werden unser Engagement in der Region fortführen und unser Team mit Ingenieuren aus allen Teilen der USA weiter ausbauen.
Als Teil des globalen Entwicklungsnetzwerks von Infineon wird der neue Standort die bisherigen 26 Zentren ergänzen und zur Sicherstellung des kontinuierlichen Wissenstransfers beitragen. Neben den USA verfügt Infineon Technologies über Entwicklungszentren in Indien, Großbritannien, Singapur, Frankreich, Österreich und Deutschland.
Am neuen Standort sind gegenwärtig 15 Entwicklungs- und Testingenieure beschäftigt; bis zum Jahr 2002 soll die Anzahl der Mitarbeiter auf bis zu 60 erhöht werden. Leiter des Entwicklungszentrums ist Frank Gelsdorf, der über umfangreiche Erfahrungen in der Speicherchip-Entwicklung verfügt.
Das neue Entwicklungszentrum von Infineon Technologies befindet sich in 459 Hurricane Lane, Williston, Vermont, 05495 (USA).
Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Anwendungen in der drahtgebundenen und mobilen Kommunikation, für Sicherheitssysteme und Chipkarten, für die Automobil- und Industrieelektronik, sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 29.000 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2000 (Ende September) einen Umsatz von 7,28 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol IFX notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com
Mit dem neuen Entwicklungszentrum in Vermont unterstreicht Infineon, dass kontinuierliche Investitionen in die Forschung hohen Stellenwert für das Unternehmen besitzen. Gleichzeitig ist der neue Standort unverzichtbar für den Erhalt unserer führenden Position als strategischer DRAM-Lieferant für unsere Kunden, erklärte Dr. Andreas von Zitzewitz, Chief Operating Officer von Infineon Technologies. In Burlington, ebenfalls im Staat Vermont, verbindet uns eine langfristige strategische Allianz mit IBM zur gemeinsamen Entwicklung von High-Performance DRAM-Speicherbausteinen. Wir werden unser Engagement in der Region fortführen und unser Team mit Ingenieuren aus allen Teilen der USA weiter ausbauen.
Als Teil des globalen Entwicklungsnetzwerks von Infineon wird der neue Standort die bisherigen 26 Zentren ergänzen und zur Sicherstellung des kontinuierlichen Wissenstransfers beitragen. Neben den USA verfügt Infineon Technologies über Entwicklungszentren in Indien, Großbritannien, Singapur, Frankreich, Österreich und Deutschland.
Am neuen Standort sind gegenwärtig 15 Entwicklungs- und Testingenieure beschäftigt; bis zum Jahr 2002 soll die Anzahl der Mitarbeiter auf bis zu 60 erhöht werden. Leiter des Entwicklungszentrums ist Frank Gelsdorf, der über umfangreiche Erfahrungen in der Speicherchip-Entwicklung verfügt.
Das neue Entwicklungszentrum von Infineon Technologies befindet sich in 459 Hurricane Lane, Williston, Vermont, 05495 (USA).
Über Infineon
Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Anwendungen in der drahtgebundenen und mobilen Kommunikation, für Sicherheitssysteme und Chipkarten, für die Automobil- und Industrieelektronik, sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 29.000 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2000 (Ende September) einen Umsatz von 7,28 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol IFX notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com
Informationsnummer
INFXX200105.084e