Infineon präsentiert strahlungsgehärtete (rad-hard) GaN-Transistoren mit DLA-JANS-Zertifizierung für die Raumfahrt

München, Deutschland – 29. Mai 2025 – Die Infineon Technologies AG bringt eine neue Produktfamilie strahlungsbeständiger (rad-hard) Gallium-Nitrid (GaN)-Transistoren auf den Markt. Auf Basis der bewährten CoolGan™-Technologie von Infineon sind die Transistoren speziell für den Einsatz in rauen Weltraumumgebungen konzipiert. Bei der neuen Technologie handelt es sich um den ersten komplett in der eigenen Fab gefertigten GaN-Transistor, der die höchste Qualitätszertifizierung für Zuverlässigkeit erhalten hat. Diese wird von der United States Defense Logistics Agency (DLA) nach der Joint Army Navy Space (JANS) Spezifikation MIL-PRF-19500/794 vergeben.

Die neuen strahlungsgehärteten GaN-Leistungstransistoren sind für sogenannte „mission critical“ Anwendungen konzipiert, die für Raumfahrzeuge in der Umlaufbahn mit bemannten Weltraummissionen und interstellare Sonden erforderlich sind. Die Transistoren kombinieren die robuste Leistung von GaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistor) mit der mehr als 50-jährigen Erfahrung von Infineon in hochzuverlässigen Anwendungen. Sie bieten erstklassige Effizienz, Wärmemanagement und Leistungsdichte für kleinere, leichtere und zuverlässigere Raumfahrtdesigns. Die Bausteine ergänzen Infineons bewährtes Portfolio an strahlungsgehärteten Silizium-MOSFETs und bieten Kunden Zugang zu einem umfassenden Portfolio von Power-Lösungen für Raumfahrtanwendungen.

„Das Infineon HiRel-Team treibt die Grenzen des Leistungsdesigns mit unserer neuen GaN-Transistor-Linie weiter voran“, sagt Chris Opoczynski, Senior Vice President und General Manager HiRel bei Infineon. „Dieser Meilenstein bringt die nächste Generation hochzuverlässiger Power-Lösungen für Verteidigungs- und Weltraumanwendungen, die die überlegenen Materialeigenschaften von Wide-Bandgap-Halbleitern nutzen, und unsere Kunden im wachsenden Luft- und Raumfahrtmarkt unterstützen.“

Die ersten drei Produktvarianten der neuen strahlungsbeständigen GaN-Transistoren sind 100 V 52 A Bauelemente mit einem branchenführenden (R _DS(on) von 4 mΩ und einer Gesamt-Gate-Ladung (Qg) von 8,8 nC. Die Transistoren sind in robusten, hermetisch versiegelten Keramikgehäusen für die Oberflächenmontage untergebracht und bis zu einem LET (GaN) = 70 MeV.cm2/mg (Au-Ionen) durch Einzeleffekt gehärtet. Zwei Bauteile, die nicht JANS-zertifiziert sind, wurden auf eine ionisierende Gesamtdosis (TID) von 100 krad und 500 krad geprüft. Das dritte Bauteil, das auf 500 krad TID geprüft wurde, ist gemäß der strengen JANS-Spezifikation MIL-PRF-19500/794 qualifiziert.

Infineon ist das erste Unternehmen in der Branche, das die DLA-JANS-Zertifizierung für vollständig intern gefertigte GaN-Leistungsbauelemente erhalten hat. Die DLA-JANS-Zertifizierung erfordert ein strenges Screening und Quality of Service Class Identifiers, um die für Raumfahrtanwendungen erforderliche Leistung, Qualität und Zuverlässigkeit zu gewährleisten - damit ist Infineon führend bei GaN für Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit. Infineon testet außerdem mehrere Chargen in seiner eigenen Fertigung, bevor die JANS-Produktion freigegeben wird, um die langfristige Zuverlässigkeit der Produktion zu gewährleisten. 

Verfügbarkeit

Engineering- und Evaluationsbauteile sind sofort verfügbar, das finale JANS-Bauteil wird im Sommer 2025 eingeführt. Weitere TID-Stufen-Varianten und JANS-Teile, die die verfügbaren Spannungen und Ströme erweitern, um Kunden mehr Flexibilität bei der Entwicklung zu bieten, folgen in Kürze. Weitere Informationen gibt es unter www.infineon.com/radhardgan.

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Beschäftigte (Ende September 2024) und erzielte im Geschäftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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