Wegbereiter für Elektromobilität und industrielle Effizienz: Infineon setzt mit SiC-Superjunction-Technologie neue Maßstäbe

München, 6. Mai 2024 – Die Infineon Technologies AG gilt als Vorreiter bei der Markteinführung von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) sowie bei der Entwicklung der Trench-Technologie für SiC-MOSFETs, die exzellente Leistung mit hoher Robustheit kombinieren. Das CoolSiC™-Portfolio reicht heute von 400 V bis 3,3 kV und deckt ein breites Anwendungsspektrum ab, darunter elektrische Antriebe in Fahrzeugen, Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, Photovoltaik-Anlagen, Energiespeichersysteme und Hochleistungs-Traktionswechselrichter. Infineon baut nun auf seiner starken Erfolgsbilanz bei der Kommerzialisierung von SiC-Anwendungen und seiner Rolle als Vorreiter bei ladungskompensierten Silizium-Bauteilen (CoolMOS™) auf und stellt ein neues, Trench-basiertes SiC-Superjunction (TSJ)-Technologiekonzept vor.

„Mit der Einführung des TSJ-Konzepts erweitern wir die technologischen Möglichkeiten von Siliziumkarbid erheblich“, sagt Peter Wawer, President der Green Industrial Power Division von Infineon. „Die Kombination von Trench- und Superjunction-Technologie ermöglicht höhere Wirkungsgrade und kompaktere Designs – ein wichtiger Schritt für Anwendungen, die höchste Leistung und Zuverlässigkeit erfordern.“

Infineon verfolgt das Ziel, sein CoolSiC-Produktportfolio unter Nutzung der SiC-TSJ-Technologie schrittweise zu erweitern. Die Erweiterung wird eine Vielzahl unterschiedlicher Gehäusekonzepte umfassen, darunter diskrete Bauteile, gemoldete und rahmenbasierte Module sowie ungehäuste Chips. Das erweiterte Portfolio wird ein breites Spektrum von Automotive- und Industrieanwendungen abdecken.

Die ersten Produkte auf Basis der neuen Technologie werden 1200-V-Bauteile im Infineon ID-PAK-Gehäuse für Traktionswechselrichter in Fahrzeugen sein. Sie kombinieren die Vorteile der Trench-Technologie mit dem Superjunction-Design und basieren auf mehr als 25 Jahren Erfahrung bei SiC sowie in der Silizium-basierten Superjunction-Technologie (CoolMOS). Die skalierbare Gehäuseplattform unterstützt Leistungsstufen von bis zu 800 kW und bietet damit ein hohes Maß an Systemflexibilität. Zu den wichtigsten Vorteilen der neuen Technologie zählt die gesteigerte Leistungsdichte, die durch eine bis zu 40-prozentige Verbesserung von R _DS(on)*A erreicht wird und auf diese Weise kompaktere Designs innerhalb der gleichen Leistungsklasse ermöglicht. Zudem sorgt das 1200-V-SiC-TSJ-Konzept in ID-PAK für eine bis zu 25 Prozent höhere Strombelastbarkeit in Hauptwechselrichtern, ohne die Kurzschlussfähigkeit zu beeinträchtigen.

Diese Weiterentwicklung verbessert die Gesamtleistung des Systems und führt zu einer höheren Energieeffizienz, geringeren Anforderungen an die Kühlung und einer gesteigerten Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Automotive- und Industrieanwendungen. Gleichzeitig reduzieren sich die Parallelisierungsanforderungen, was den Entwicklungsaufwand verringert und die Gesamtkosten des Systems reduziert. Mit diesen Verbesserungen leistet das Infineon ID-PAK-Gehäuse, das mit der SiC-TSJ-Technologie ausgestattet ist, einen wichtigen Beitrag zur Entwicklung von effizienteren und kostengünstigeren Traktionswechselrichter-Designs für Automotive-Anwendungen.

„Als weltweite Nummer eins bei Automotive-Halbleitern gibt Infineon das Innovationstempo vor und trägt dazu bei, die Brücke zwischen technologischem Fortschritt bei Fahrzeugen und nachhaltiger Mobilität zu schlagen“, sagt Peter Schiefer, President der Automotive Division von Infineon. „Unsere neue Trench-basierte SiC-Superjunction-Technologie bietet einen zusätzlichen Mehrwert für elektrische Fahrzeugantriebe, denn sie ermöglicht eine höhere Effizienz und ein vereinfachtes Systemdesign.“

Als einer der ersten Kunden werden Hyundai Motor Company Entwicklungsteams die Trench-Superjunction-Technologie von Infineon einsetzen, um ihr Angebot für Elektrofahrzeuge zu erweitern. Die Zusammenarbeit soll die Entwicklung effizienterer und kompakterer Antriebsstränge für Elektrofahrzeuge maßgeblich vorantreiben.

Verfügbarkeit

Erste ID-PAK 1200 V-Muster sind ab sofort für ausgewählte Kunden im Bereich elektrischer Fahrzeugantriebe verfügbar. Das auf der SiC-TSJ-Technologie basierende ID-PAK-1200-V-Gehäuse wird voraussichtlich im Jahr 2027 bereit für die Serienproduktion sein.

Infineon auf der PCIM Europe 2025

Die PCIM Europe findet vom 6. bis 8. Mai 2025 in Nürnberg statt. Infineon wird seine Produkte und Lösungen für die Dekarbonisierung und Digitalisierung in Halle 7, Stand 470 präsentieren. Vertreterinnen und Vertreter des Unternehmens halten außerdem mehrere Vorträge auf den Stages der PCIM Expo und der begleitenden PCIM Conference, gefolgt von Diskussionen mit den Referierenden. Interessierte, die mit Fachleuten sprechen möchten, können unter media.relations@infineon.com einen Termin vereinbaren. Industrieanalystinnen und -analysten können sich per E-Mail an MarketResearch.Relations@infineon.com wenden. Informationen über die Highlights von Infineon auf der PCIM 2025 sind erhältlich unter www.infineon.com/pcim.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Beschäftigte (Ende September 2024) und erzielte im Geschäftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

Weitere Informationen erhalten Sie unter www.infineon.com

Diese Presseinformation finden Sie online unter www.infineon.com/presse

Follow us: X - Facebook - LinkedIn