Infineon präsentiert neue CoolSiC™ JFET-Technologie für intelligentere und schnellere Energieverteilung

05.05.2025 | Market News

München, 5. Mai 2025 – Um die nächste Generation von intelligenten Energieverteilungssystemen zu ermöglichen, erweitert die Infineon Technologies AG ihr Siliziumkarbid (SiC)-Portfolio um die neue CoolSiC™ JFET-Produktfamilie. Die neuen Bauteile zeichnen sich durch minimierte Leitungsverluste, außerordentliche Abschaltfähigkeit und hohe Betriebsrobustheit aus, was sie ideal für anspruchsvolle Schutz- und Verteilungsanwendungen auf Festkörperbasis macht. Mit ihrer robusten Kurzschlussfestigkeit, thermischen Stabilität im linearen Betrieb und präzisen Überspannungssteuerung ermöglichen die CoolSiC JFETs höchste Zuverlässigkeit und Effizienz. Typische Anwendungen im Industrie- und Automotive-Umfeld umfassen Halbleiter-basierte Schutzschalter (Solid-State Circuit Breakers; SSCBs), Sub-Systeme zur Hot-Swap-Fähigkeit für Stromversorgungen in KI-Rechenzentren, elektronische Sicherungen, elektronische Motorstarter, industrielle Sicherheitsrelais und Batterietrennschalter für Fahrzeuge.

„Mit der CoolSiC JFET-Technologie begegnen wir der wachsenden Nachfrage nach intelligenteren, schnelleren und robusteren Halbleitern für Energieverteilungssysteme“, sagt Dr. Peter Wawer, Division President Green Industrial Power bei Infineon Technologies. „Wir stellen unseren Kunden damit die notwendigen Werkzeuge zur Verfügung, um die komplexen Herausforderungen in diesem dynamischen Markt zu meistern. Wir sind stolz darauf, dass unsere Bauteile kleinste flächenspezifische R DS(ON)-Werte erzielen und einen neuen Standard für die SiC-Leistungsfähigkeit setzen. Das unterstreicht unsere Führungsposition im Bereich der Wide-Bandgap-Technologie.“

Die erste Generation der CoolSiC-JFETs erreicht einen äußerst niedrigen R DS(ON)-Wert ab 1,5 mΩ (750 V BDss) und 2,3 mΩ (1200 V BDss), was die Leitverluste deutlich reduziert. Der Volumenkanal-optimierte SiC-JFET zeichnet sich durch eine hohe Robustheit unter Kurzschluss- und Avalanchebedingungen aus. Die in einem oberseitig gekühlten Q-DPAK-Gehäuse untergebrachten Bauteile können einfach parallelgeschaltet werden und sind skalierbar hin zu hohen Strömen. Dies ermöglicht die Realisierung kompakter Hochleistungssysteme mit flexiblen Layout- und Integrationsoptionen. Ihr gut vorhersagbares Abschaltverhalten unter thermischer Belastung, Überlast und Fehlerbedingungen tragen zu einer maximalen Langzeitzuverlässigkeit im Dauerbetrieb bei.

Die CoolSiC JFETs verwenden die fortschrittliche .XT-Verbindungstechnologie von Infineon mit Diffusionslöten, um den thermischen und mechanischen Herausforderungen anspruchsvoller Anwendungsumgebungen gerecht zu werden. Diese Technologie verbessert die transiente thermische Impedanz und Robustheit unter gepulsten und zyklischen Belastungen, wie sie in industriellen Energieverteilungssystemen vorkommen. Die Bauteile wurden unter realen Betriebsbedingungen für Solid-State-Leistungsschalter getestet und qualifiziert und sind im branchenüblichen Q-DPAK-Gehäuse erhältlich. Damit lassen sie sich schnell und nahtlos in Industrie- und Automotive-Anwendungen integrieren.

Verfügbarkeit

Technische Muster der neuen CoolSiC JFET-Familie werden im Laufe des Jahres 2025 verfügbar sein, die Serienproduktion startet 2026. Das Produktportfolio soll mit einer Vielzahl von Gehäusen und Modulen ergänzt werden. Die Produktfamilie wird am Infineon-Stand auf der PCIM Europe 2025 in Nürnberg vorgestellt. Weitere Informationen sind verfügbar unter www.infineon.com/jfet.  

Infineon auf der PCIM Europe 2025
Die PCIM Europe findet vom 6. bis 8. Mai 2025 in Nürnberg statt. Infineon wird seine Produkte und Lösungen für die Dekarbonisierung und Digitalisierung in Halle 7, Stand 470 präsentieren. Vertreterinnen und Vertreter des Unternehmens halten außerdem mehrere Vorträge auf den Stages der PCIM Expo und der begleitenden PCIM Conference, gefolgt von Diskussionen mit den Referierenden. Interessierte, die mit Fachleuten sprechen möchten, können unter media.relations@infineon.com einen Termin vereinbaren. Industrieanalystinnen und -analysten können sich per E-Mail an   MarketResearch.Relations@infineon.com wenden. Informationen über die Highlights von Infineon auf der PCIM 2025 sind erhältlich unter www.infineon.com/pcim.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Beschäftigte (Ende September 2024) und erzielte im Geschäftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Informationsnummer

INFGIP202505-096

Pressefotos

  • Um die nächste Generation von intelligenten Energieverteilungssystemen zu ermöglichen, erweitert Infineon sein SiC-Portfolio um die neue CoolSiC™ JFET-Produktfamilie.
    Um die nächste Generation von intelligenten Energieverteilungssystemen zu ermöglichen, erweitert Infineon sein SiC-Portfolio um die neue CoolSiC™ JFET-Produktfamilie.
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