Infineon präsentiert extrem zuverlässigen Press-Pack-IGBT für Übertragungs- und Verteilungsanwendungen sowie Mittelspannungsantriebe

16.05.2022 | Market News

München – 16. Mai 2022 – Die Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG erweitert die Prime-Switch-Familie für Hochleistungsanwendungen um den neuen Press-Pack-IGBT (PPI) mit internen Freilaufdioden (FWD) im Keramikscheibengehäuse. Dieser PPI wurde speziell für Übertragungs- und Verteilungsanwendungen entwickelt und ist ideal für Hochstrom-Modular-Multilevel Converter (MMC), Mittelspannungsantriebe, Gleichstromschalter, Windturbinenumrichter und Traktionssysteme.

Der neue Prime Switch IGBT hat eine Sperrspannung von 4,5 kV mit 3000 A ohne FWD und 2000 A mit FWD. Passend zum 3000-A-PPI bietet Infineon externe Freilaufdioden mit zwei verschiedenen Siliziumdurchmessern von 122 mm und 172 mm an: D1600U45X122, D2700U45X122, D3900U45X172 und D4600U45X172. Die führende Trench-Chiptechnologie bei Hochspannungs-IGBTs in Kombination mit der seit über 40 Jahren bewährten, hochzuverlässigen Press-Pack-Technologie bietet den Kunden eine exzellente, leistungsstarke Lösung für Ultra-Hochleistungsanwendungen. Darüber hinaus erlauben die Geräte die Optimierung hinsichtlich der Verluste, Zuverlässigkeit und Kosten.

Das PPI-Gehäuse ist hermetisch versiegelt und speziell dafür ausgelegt, systembedingten Ausfällen zu widerstehen. Auf diese Weise zeichnet sich der PPI durch eine extrem robuste Bruchsicherheit des Gehäuses aus und bietet darüber hinaus eine Short-on-Fail-Funktion. Durch das innovative Design des internen Chip-Stacks und des Gehäuses deckt Infineon eine Vielzahl unterschiedlicher Anwendungen und Leistungsbereiche ab und kann so ein maßgeschneidertes Portfolio mit verschiedenen Stromwerten und Topologien anbieten. Dadurch wird eine Vielzahl von Anwendungen und Leistungsbereichen abgedeckt.

Verfügbarkeit

Der Prime Switch IGBT kann ab sofort bestellt werden. Die nächste Portfolio-Erweiterung der neuen Prime-Switch-Familie wird für Mitte/Ende 2022 erwartet. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/primeswitch.

Mehr Informationen zum Beitrag von Infineon im Bereich Energieeffizienz: www.infineon.com/green-energy

Informationsnummer

INFIPC202205-080

Pressefotos

  • Der Press Pack IGBT von Infineon hat eine Sperrspannung von 4,5 kV mit 3000 A ohne FWD und 2000 A mit FWD. Passend zum 3000-A-PPI bietet Infineon externe Freilaufdioden in vier verschiedenen Siliziumdurchmessern an. Die führende Trench-Chiptechnologie bei Hochspannungs-IGBTs in Kombination mit der seit über 40 Jahren bewährten, hochzuverlässigen Press-Pack-Technologie bietet den Kunden eine exzellente, leistungsstarke Lösung für Ultra-Hochleistungsanwendungen. Darüber hinaus erlauben die Geräte die Optimierung hinsichtlich der Verluste, Zuverlässigkeit und Kosten.
    Der Press Pack IGBT von Infineon hat eine Sperrspannung von 4,5 kV mit 3000 A ohne FWD und 2000 A mit FWD. Passend zum 3000-A-PPI bietet Infineon externe Freilaufdioden in vier verschiedenen Siliziumdurchmessern an. Die führende Trench-Chiptechnologie bei Hochspannungs-IGBTs in Kombination mit der seit über 40 Jahren bewährten, hochzuverlässigen Press-Pack-Technologie bietet den Kunden eine exzellente, leistungsstarke Lösung für Ultra-Hochleistungsanwendungen. Darüber hinaus erlauben die Geräte die Optimierung hinsichtlich der Verluste, Zuverlässigkeit und Kosten.
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