Hervorragend in Preis und Performance: 600 V CoolMOS™ S7 Hochspannungs-MOSFET für niederfrequente Anwendungen

02.03.2020 | Market News

München - 2. März 2020 - Infineon Technologies entwickelt Lösungen für höchste Effizienz- und Qualitätsansprüche: Die neu eingeführte 600 V CoolMOS™ S7-Produktfamilie ist wegweisend in Bezug auf Leistungsdichte und Energieeffizienz für Anwendungen, bei denen MOSFETs mit niedriger Frequenz geschaltet werden. Zu den Hauptmerkmalen der CoolMOS S7-Produktfamilie zählen die Optimierung der Leitungsverluste, der verbesserte thermische Widerstand und die Fähigkeit, hohe Pulsströme zu übertragen. Anwendungsfelder für die Bausteine sind beispielsweise die aktive Brückengleichrichtung, Wechselrichterstufen, SPS, Leistungshalbleiter-Relais und Halbleiterleistungsschalter. Zudem ist der 10 mΩ CoolMOS S7-MOSFET der kleinste R DS(on)-Baustein der Branche.

Die Produktfamilie minimiert Leitungsverluste und gewährleistet gleichzeitig die schnellste Ansprechzeit zusammen mit einem erhöhten Wirkungsgrad für niederfrequente Schaltanwendungen. CoolMOS S7-Bausteine liefern im Vergleich zu CoolMOS 7-Bauteilen einen noch geringeren R DS(on) x A, um die Schaltverluste auszugleichen, was zu einem geringeren Einschaltwiderstand und geringeren Kosten führt. Sie bieten den niedrigsten On-Widerstand (R DS(on)) eines Hochspannungsschalters auf dem Markt. Darüber hinaus ist es gelungen, den 10 mΩ-Chip in ein innovatives, oberseitengekühltes QDPAK sowie den 22 mΩ-Chip in ein hochmodernes, kleines TO-Leadless (TOLL) SMD-Gehäuse einzupassen. Diese MOSFETs ermöglichen kostengünstige, einfache, kompakte und modulare Designs mit hohem Wirkungsgrad. Systeme auf Basis der CoolMOS S7-Bauteile erfüllen problemlos die Anforderungen und Zertifizierungsstandards für Energieeffizienz (z.B. Titan® für SMPS) sowie die Leistungsbudgets. Sie verringern zudem die Anzahl der benötigten Bauteile, Kühlkörper und Gesamtbetriebskosten (TCO).

Verfügbarkeit

Der 22 mΩ 600 V CoolMOS S7-Baustein ist in TOLL und TO-220 verfügbar, die 40 mΩ- und 65 mΩ-Bausteine sind in TOLL-Gehäusen erhältlich. Der 10 mΩ CoolMOS S7-MOSFET wird im 4. Quartal 2020 auf Lager sein. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/s7.

Informationsnummer

INFPMM202003-034

Pressefotos

  • Die neu eingeführte 600 V CoolMOS™ S7-Produktfamilie ist wegweisend in Bezug auf Leistungsdichte und Energieeffizienz für Anwendungen, bei denen MOSFETs mit niedriger Frequenz geschaltet werden.
    Die neu eingeführte 600 V CoolMOS™ S7-Produktfamilie ist wegweisend in Bezug auf Leistungsdichte und Energieeffizienz für Anwendungen, bei denen MOSFETs mit niedriger Frequenz geschaltet werden.
    600V_QDPAK_CoolMOS_S7_HDSOP-22-01_Combi

    JPG | 513 kb | 2126 x 1263 px

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    600V_CoolMOS_S7_TO220-3-1_vA

    JPG | 341 kb | 1616 x 2126 px

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    600V_CoolMOS_S7_TO-Leadless_HSOF-8-2

    JPG | 495 kb | 2280 x 1517 px