CoolSiC™ CIPOS™ Maxi: Das weltweit erste 1200-V-IPM mit SiC im gemoldeten Gehäuse

02.12.2020 | Market News

München, 2. Dezember 2020 – Die Infineon Technologies AG hat ein integriertes 1200 V Leistungsmodul (IPM) mit Siliziumkarbid (SiC) im gemoldeten Gehäuse auf den Markt gebracht. Die CIPOS™ Maxi IPM IM828-Serie schließt die Markteinführung von zahlreichen SiC-Lösungen für dieses Jahr ab, sie ist die branchenweit erste in dieser Spannungsklasse. Das IPM bietet eine kompakte Umrichterlösung mit einer ausgezeichneten Wärmeleitung und einer hohen Bandbreite an Schaltgeschwindigkeiten. Die neue Familie ist ausgelegt für Drehstrom- und Permanentmagnet-Motoren in drehzahlvariablen Antriebsanwendungen. Diese finden sich unter anderem in industriellen Motor- und Pumpenantrieben sowie in aktiven Filtern für Heizung, Lüftung und Klimatisierung (HVAC).

Das CIPOS Maxi IPM integriert einen verbesserten, auf der Silicon-on-Isolator-(SOI)-Technologie basierenden 6-Kanal 1200 V Gate-Treiber und sechs CoolSiC™ MOSFETs. Damit wird die Systemzuverlässigkeit erhöht, die Leiterplattengröße optimiert und die Systemkosten gesenkt. Das neue Familienmitglied ist in einem DIP 36x23D-Gehäuse untergebracht – das kleinste Gehäuse für 1200-V-IPMs mit der höchsten Leistungsdichte und der besten Leistung in dieser Spannungsklasse. Die IM828-Serie verfügt über ein isoliertes Dual-in-Line-Gehäuse für hervorragende thermische Leistung und elektrische Isolierung. Sie erfüllt die EMI-Anforderungen und den Überlastschutz selbst anspruchsvoller Designs.

Der robuste 6-Kanal-SOI-Gate-Treiber des SiC-IPMs bietet eine integrierte Totzeit und vermeidet so Schäden durch Transienten. Außerdem verfügt er über Unterspannungsschutz (UVLO) an allen Kanälen und Schutzfunktionen gegen Überstromabschaltung. Mit seinem Multifunktionspin ermöglicht dieses IPM eine hohe Designflexibilität für verschiedene Zwecke. Zusätzlich zu den Schutzfunktionen ist das IPM mit einem unabhängigen UL-zertifizierten Temperatur-Thermistor ausgestattet. Die Pins der Low-Side-Emitter sind für die Phasenstromüberwachung zugänglich, wodurch das Gerät einfach zu steuern ist.

Verfügbarkeit

Die CIPOS Maxi IM828-Serie kann ab sofort bestellt werden. Sie besteht aus dem 20 A IM828-XCC für Leistungen bis zu 4,8 kW. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/IPM.

Informationsnummer

INFIPC202012-023

Pressefotos

  • Das CIPOS™ Maxi IPM integriert einen verbesserten, auf der Silicon-on-Isolator-(SOI)-Technologie basierenden 6-Kanal 1200 V Gate-Treiber und sechs CoolSiC™ MOSFETs. Damit wird die Systemzuverlässigkeit erhöht, die Leiterplattengröße optimiert und die Systemkosten gesenkt. Das DIP 36x23D-Gehäuse macht es zum kleinsten 1200-V-IPMs mit der höchsten Leistungsdichte und der besten Leistung in dieser Spannungsklasse.
    Das CIPOS™ Maxi IPM integriert einen verbesserten, auf der Silicon-on-Isolator-(SOI)-Technologie basierenden 6-Kanal 1200 V Gate-Treiber und sechs CoolSiC™ MOSFETs. Damit wird die Systemzuverlässigkeit erhöht, die Leiterplattengröße optimiert und die Systemkosten gesenkt. Das DIP 36x23D-Gehäuse macht es zum kleinsten 1200-V-IPMs mit der höchsten Leistungsdichte und der besten Leistung in dieser Spannungsklasse.
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