TRENCHSTOP™ IGBT7-Technologie jetzt auch im TO-247-Gehäuse erhältlich

22.09.2020 | Market News

München, 22. September 2020 – Nach den EconoDUAL- und Easy-Varianten bietet die Infineon Technologies AG die industrieführende TRENCHSTOP IGBT7-Technologie nunmehr in einem diskreten Gehäuse an. Das TO-247-Bauteil wird mit einer Durchbruchspannung von 650 V geliefert. Das Portfolio der neuen TRENCHSTOP-Familie umfasst die Nennströme 20 A, 30 A, 40 A, 50 A und 75 A. Es kann problemlos vorherige Technologien ersetzen und eignet sich für die Parallelschaltung. Damit zielt Infineon vor allem auf Anwendungen in den Bereichen industrielle Motorantriebe, Blindleistungskompensation, Photovoltaik und unterbrechungsfreie Stromversorgungen.

Basierend auf der neuen Micro-Trenchtechnologie weist der TRENCHSTOP IGBT7-Chip geringere statische Verluste aus. Bezogen auf die gleiche Stromklasse wird die Durchlassspannung um zehn Prozent reduziert. Dies führt zu einer erheblichen Reduzierung von Verlusten in der Anwendung – insbesondere bei industriellen Antrieben, die in der Regel mit geringeren Schaltfrequenz arbeiten. Der IGBT-T7-Chip hat eine sehr niedrige Sättigungsspannung (V CE(sat)) und ist mit einer emittergesteuerten Diode der 7. Generation (EC7) kombiniert. Diese sorgt für einen um 150 mV niedrigeren Vorwärtsspannungsabfall (V F) und eine sanfte Sperrverzögerung.

Das TO-247-Bauteil zeichnet sich durch eine hervorragende Steuerbarkeit und ein ausgezeichnetes EMI-Verhalten aus. Es kann leicht angepasst werden, um das anwendungsspezifisch beste Verhältnis von dv/dt und Schaltverlusten zu erreichen. Der 650 V TRENCHSTOP IGBT7 bietet die in den Applikationen benötigte Kurzschlussfestigkeit. Zusätzlich hat er den JEDEC-basierten HV-H3TRB-Test (High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias) bestanden, der die Zuverlässigkeit in einer sehr feuchten Umgebung belegt. Diese kommt häufiger bei industriellen Anwendungen vor.

Verfügbarkeit

Das diskrete Bauteil 650 V TRENCHSTOP IGBT7 kann ab sofort bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter https://www.infineon.com/igbt7.

Informationsnummer

INFIPC202009-091

Pressefotos

  • Der TRENCHSTOP IGBT7-Chip im TO-247-Gehäuse basiert auf der neuen Micro-Trenchtechnologie von Infineon und weist geringere statische Verlusten aus, die Durchlassspannung ist um zehn Prozent reduziert. Er hat eine sehr niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat)) und ist mit einer emittergesteuerten Diode der 7. Generation (EC7) kombiniert, die für eine sanfter Sperrverzögerung sorgt.
    Der TRENCHSTOP IGBT7-Chip im TO-247-Gehäuse basiert auf der neuen Micro-Trenchtechnologie von Infineon und weist geringere statische Verlusten aus, die Durchlassspannung ist um zehn Prozent reduziert. Er hat eine sehr niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat)) und ist mit einer emittergesteuerten Diode der 7. Generation (EC7) kombiniert, die für eine sanfter Sperrverzögerung sorgt.
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