CoolSiC™ 62 mm-Modul eröffnet neue Anwendungen für Siliziumkarbid

29.06.2020 | Market News

München, 29. Juni 2020 – Die Infineon Technologies AG erweitert die CoolSiC™ MOSFET 1200 V-Modulfamilie mit einem weiteren Gehäuse im Industriestandard. Das bewährte 62-mm-Modul ist als Halbbrücke aufgebaut und basiert ebenfalls auf der Trench-Chiptechnologie. Es öffnet Siliziumkarbid für Anwendungen im mittleren Leistungsbereich ab 250 kW – dort, wo Silizium mit IGBT-Technologie bei der Leistungsdichte an Grenzen stößt. Im Vergleich zu einem 62-mm-IGBT-Modul umfasst die Liste der Anwendungen damit jetzt auch Photovoltaik, Server, Energiespeicher, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Traktion, kommerzielles Induktionskochen und Systeme für die Energieumwandlung.

Das 62-mm-Modul ist mit den CoolSiC-MOSFETs von Infineon ausgestattet und ermöglicht eine hohe Stromdichte. Sehr niedrige Schalt- und Durchlassverluste minimieren damit den Kühlungsaufwand. Bei hohen Schaltfrequenzen kann die Größe der magnetischen Komponenten reduziert werden. Durch den Einsatz der CoolSiC-Chip-Technologie von Infineon ergibt sich mit Blick auf die Größe die Möglichkeit, Umrichterdesigns für die Applikation kleiner zu designen, insgesamt können Systemkosten reduziert werden.

Mit Bodenplatte und Schraubanschlüssen zeichnet sich das Gehäuse durch ein sehr robustes mechanisches Design aus, das für höchste Systemverfügbarkeit, ein Minimum an Servicekosten und Ausfallzeiten optimiert ist. Die herausragende Zuverlässigkeit wird durch eine hohe thermische Zyklenfestigkeit und eine Dauerbetriebstemperatur (T vjop) von 150°C ermöglicht. Der symmetrische innere Aufbau des Gehäuses erlaubt gleiche Schaltverhältnisse beim oberen und unteren Schalter. Optional kann die thermische Leistung des Moduls mit vorappliziertem Thermal-Interface-Material (TIM) noch weiter verbessert werden.

Verfügbarkeit

Im 62-mm-Gehäuse ist die CoolSiC 1200 V-Familie in den Varianten 6 mΩ/250 A, 3 mΩ/357 A und 2 mΩ/500 A erhältlich. Für eine schnelle Charakterisierung (Doppelpuls/Dauerbetrieb) der Module ist ein Evaluation-Board verfügbar. Zur einfachen Handhabung bietet dieses eine flexible Einstellung der Gate-Spannung und -Widerstände. Gleichzeitig kann es als Referenzdesign von Treiberboards für die Serienproduktion dienen. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/sic-mosfet-modules, www.infineon.com/SiC.

Virtueller PCIM-Stand 2020

In diesem Jahr wird Infineon die PCIM 2020 vollständig virtuell abhalten. Wie üblich erhalten Besucher wieder einen umfassenden Einblick in die Produktinnovationen und Applikationslösungen. Mit dem breitesten Portfolio an Leistungshalbleitern, das Silizium-, Siliziumkarbid- (CoolSiC™) und Galliumnitrid-Technologien (CoolGaN™) umfasst, setzt Infineon weiterhin Maßstäbe. Die Online-Messe öffnet am 1. Juli ihre Pforten. Zur Registrierung bitte hier klicken.

Informationsnummer

INFIPC202006-076

Pressefotos

  • Das 62-mm-Modul ist mit den CoolSiC™-MOSFETs von Infineon ausgestattet und ermöglicht eine hohe Stromdichte. Es ist in den Varianten 6 mΩ/250 A, 3 mΩ/357 A und 2 mΩ/500 A erhältlich.
    Das 62-mm-Modul ist mit den CoolSiC™-MOSFETs von Infineon ausgestattet und ermöglicht eine hohe Stromdichte. Es ist in den Varianten 6 mΩ/250 A, 3 mΩ/357 A und 2 mΩ/500 A erhältlich.
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