SOI-Treiberfamilien mit integrierten Bootstrap-Dioden für 650-V-Halbbrücken bieten höchste Robustheit

08.01.2020 | Market News

München, 8. Januar 2019 – Die Infineon Technologies AG erweitert ihr EiceDRIVER™-Portfolio um 650-V-Halbbrückentreiber, die auf der Silicon-on-Insulator-(SOI)-Technologie des Unternehmens basieren. Die Produkte bieten beste Immunität gegen negative Transienten, die monolithische Integration einer echten Bootstrap-Diode und eine überlegene Latch-Up-Festigkeit für MOSFET und IGBT basierte Inverter-Anwendungen. Diese einzigartigen Eigenschaften ermöglichen robustere und zuverlässigere Designs bei reduzierten Stücklistenkosten. Die Familie 2ED218x mit hohem Ausgangsstrom ist für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz wie Induktionskochen, Kompressoren für Klimageräte, Schaltnetzteile und USV ausgelegt. Die Familie 2ED210x mit niedrigem Ausgangsstrom zielt auf Anwendungen kleinerer Leistungen ab, hierzu gehören Haushaltsgeräte, Elektrowerkzeuge, Motorsteuerung und -antriebe, Lüfter und Pumpen.

Die EiceDRIVER-Familie 2ED218x weist einen Ausgangsstrom von 2,5 A auf, während die 2ED210x-Treiber für Ausgangsströme bis 0,7 A ausgelegt sind. Dazu gehören Varianten mit Abschaltfunktionalität sowie getrennter Bezugsmasse für Logik und Leistung. Die integrierte Bootstrap-Diode bietet eine ultraschnelle Sperrerholzeit mit einem typischen Bahnwiderstand von 30 Ω. Die negative VS-Immunität von -100 V mit 300 ns breiten, wiederholten Pulsen sorgt für überlegene Robustheit und Zuverlässigkeit. Zusätzlich unterstützen die integrierte Totzeit mit Kreuzleitungslogik und die unabhängige Unterspannungsabschaltung der Hoch- und Niederspannungsversorgungen einen sicheren Betrieb. Die Laufzeitverzögerung der Gate-Treiberfamilie beträgt 200 ns.

Verfügbarkeit

2ED218x und 2ED210x sind elektrisch und funktional Pin-zu-Pin kompatibel mit Bauteilen der früheren Generation IR(S)218x und IR(S)210x. Sie sind erhältlich in den Standardgehäusen DSO-8 (SOIC8) und DSO-14 (SOIC-14) mit 2 kV HBM ESD-Klassifizierung (nur 2ED218x). Die Varianten aus den Produktfamilie 2ED218x und 2ED210x können sowohl in Musterstückzahl als auch in großen Mengen bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/SOI.

Informationsnummer

INFIPC202001-018

Pressefotos

  • Die neuen 650-V-Halbbrückentreiber basieren auf der SOI-Technologie und bieten beste Immunität gegen negative Transienten, die monolithische Integration einer echten Bootstrap-Diode und eine überlegene Latch-Up-Festigkeit. Beide Treiberfamilien, 2ED218x und 2ED210x, zielen auf Inverter-Anwendungen sowohl mit MOSFETs als auch mit IGBTs.
    Die neuen 650-V-Halbbrückentreiber basieren auf der SOI-Technologie und bieten beste Immunität gegen negative Transienten, die monolithische Integration einer echten Bootstrap-Diode und eine überlegene Latch-Up-Festigkeit. Beide Treiberfamilien, 2ED218x und 2ED210x, zielen auf Inverter-Anwendungen sowohl mit MOSFETs als auch mit IGBTs.
    2ED-Compact_DSO-8

    JPG | 106 kb | 1186 x 1100 px

  • Die neuen 650-V-Halbbrückentreiber basieren auf der SOI-Technologie und bieten beste Immunität gegen negative Transienten, die monolithische Integration einer echten Bootstrap-Diode und eine überlegene Latch-Up-Festigkeit. Beide Treiberfamilien, 2ED218x und 2ED210x, zielen auf Inverter-Anwendungen sowohl mit MOSFETs als auch mit IGBTs.
    Die neuen 650-V-Halbbrückentreiber basieren auf der SOI-Technologie und bieten beste Immunität gegen negative Transienten, die monolithische Integration einer echten Bootstrap-Diode und eine überlegene Latch-Up-Festigkeit. Beide Treiberfamilien, 2ED218x und 2ED210x, zielen auf Inverter-Anwendungen sowohl mit MOSFETs als auch mit IGBTs.
    2ED-Compact_DSO-14

    JPG | 400 kb | 1770 x 1476 px