Easy-Familie mit neuem Gehäuse: Infineon bietet das breiteste Portfolio an Powermodulen ohne Bodenplatte mit 12 mm Höhe

München, 15. April 2019 – Die Infineon Technologies AG erweitert die Easy-Familie um einen neuen Gehäusetyp: Easy 3B. Zusammen mit den anderen Easy 1B- und 2B-Gehäusen bietet die Familie jetzt das breiteste Portfolio von Leistungsmodulen mit 12 mm Höhe ohne Bodenplatte. Das Easy 3B ist die ideale Plattform, um aktuelle Wechselrichterdesigns zu erweitern und höhere Leistung zu erzielen – ohne große Änderungen auf mechanischer Seite. Ein weiterer Vorteil: Das neue Gehäuse übernimmt das flexible Pin-Raster-System, das für individuelle Anpassungen sehr wichtig ist. Das erste Modul im neuen Gehäusedesign hat einen Nennstrom von 400 A und ist mit einer 3-stufigen ANPC-(Advanced Neutral Point Clamping)-Topologie ausgestattet. Es ist optimiert für Solarwechselrichter mit einer Eingangsspannung von 1500 V. Das Easy 3B-Gehäuse wird auf der PCIM 2019 vorgestellt.

In großen Solarkraftwerken wird der 1500-V-Wechselrichter immer häufiger eingesetzt. Der weltweite Gesamtabsatz bezogen auf die Ausgangsleistung der Solarkraftwerke für diese Spannungsklasse betrug 2018 32,7 GW. Die erwartete durchschnittliche jährliche Wachstumsrate für die nächsten fünf Jahre wird hier voraussichtlich bei 20,6 Prozent* liegen. Um diesen wachsenden Markt zu bedienen, ist das Modul mit der neuesten IGBT-Technologie mit einer Sperrspannung von 950 V ausgestattet. Die Grundfläche des Easy 3B-Gehäuses beträgt 110 mm x 62 mm und ist damit 2,5 mal größer als die des Easy 2B. Das Modul ermöglicht ein hocheffizientes Wechselrichterdesign mit einer Leistung von bis zu 150 kW und einer branchenführenden Leistungsdichte von mehr als 500 W/Liter.

Infineon plant, ein vollständiges Easy 3B-Portfolio für den Markt der industriellen Antriebe auf Basis des TRENCHSTOP™ IGBT7-Chips zu entwickeln. Damit wird das aktuelle Easy-Portfolio für Antriebe um höhere Nennströme erweitert. Da das Easy-Gehäuse die ideale Plattform auch für neue Anwendungen wie EV-Ladegeräte und Energiespeichersysteme ist, wird Infineon auch hierfür Produkte vorstellen. Laden und Speichern sind auf hohe Effizienz angewiesen. Das neue Easy 3B-Gehäuse wird deshalb auch mit der neuesten Siliziumkarbid-Chip-Technologie von Infineon, dem CoolSiC™ MOSFET, auf den Markt gebracht.

Verfügbarkeit

Das Easy 3B ist bereit für die Volumenproduktion. Das F3L400R10W3S7_B11 wird ab Juni 2019 zur Verfügung stehen, Muster können ab sofort bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/easy.

Infineon auf der PCIM 2019

Auf der PCIM 2019 präsentiert Infineon innovative System-Lösungen für Anwendungen, die die Welt antreiben und die Zukunft gestalten. Die Demos von Infineon werden am Stand #313 in Halle 9 (Nürnberg, 7. bis 9. Mai 2019) präsentiert. Informationen zu den Highlights der PCIM sind erhältlich unter www.infineon.com/pcim.

* Basiert auf oder enthält Inhalte, die von IHS Markit, Technology Group, zur Verfügung gestellt wurden, PV Inverter Market Tracker, Q4 2018. Mit der Zurverfügungstellung der von Infineon verwendeten Information gibt IHS Markit keinerlei Urteil zu Infineon ab und übernimmt für die Angaben keine Haftung. Für mehr Details besuchen Sie technology.ihs.com.