Maßgeschneidert: TRENCHSTOP™ IGBT7 und EC7 Diode für Industrieantriebe

München, 7. März 2019 – Die Infineon Technologies AG stellt den neuen 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 und die emittergesteuerte EC7-Diode vor. Der IGBT sorgt für eine höhere Leistungsdichte, niedrigere Systemkosten und eine geringere Systemgröße. Das damit aufgebaute Leistungshalbleitermodul im bekannten Easy-Gehäuse ist auf die Anforderungen von industriellen Antrieben abgestimmt.

Basierend auf der neuen Mikro-Trenchtechnologie weist der TRENCHSTOP IGBT7-Chip geringere statische Verluste aus als der IGBT4. Die Durchlassspannung wird um 20 Prozent reduziert. Dies führt zu einer deutlichen Reduzierung von Verlusten in der Anwendung – insbesondere bei industriellen Antrieben, die in der Regel mit geringeren Schaltfrequenzen arbeiten. Die Leistungsmodule verfügen über eine maximal zulässige Überlast-Sperrschichttemperatur von 175°C. Zusätzlich zeichnen sie sich durch weicheres Schalten aus und eine verbesserte Steuerbarkeit.

Die neuen 1200 V TRENCHSTOP IGBT7-Module sind mit der gleichen Pinbelegung ausgestattet wie die TRENCHSTOP IGBT4-Module. Hersteller können damit ihren Konstruktionsaufwand reduzieren. Wegen der höheren Leistungsdichte ermöglichen die neuen Module einen höheren Ausgangsstrom im gleichen Gehäuse oder den gleichen Ausgangsstrom in einem kleineren Gehäuse. Dadurch können Konstrukteure bei Bedarf kompaktere Wechselrichter realisieren. Alle Modultypen verfügen über die zuverlässige PressFit-Montagetechnologie von Infineon, diese gewährleistet einen niedrigen ohmschen Widerstand und reduziert Prozesszeiten.

Verfügbarkeit

Die neue TRENCHSTOP IGBT7-Technologie wird für die Stromstärken 10 A und 25 A im industriellen Standardgehäuse EasyPIM™ angeboten. Eine höhere Leistung von 100 A bietet das EasyPACK™ 2B. Als erstes verfügbar sind die Modultypen FP10R12W1T7_B11, FP25R12W1T7_B11 und FS100R12W2T7_B11. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/IGBT7.