PCIM 2018: CoolGaN™ von Infineon eröffnet neue Möglichkeiten beim Strommanagement

05.06.2018 | Market News

München und Nürnberg – 5. Juni 2018 – Die entscheidenden Vorteile von Galliumnitrid (GaN) sind u. a. hohe Leistungsdichte, hervorragende Effizienz und reduzierte Systemkosten. Die Infineon Technologies AG nimmt bis Ende 2018 die Serienfertigung von CoolGaN™-Produkten auf. Entwicklungsmuster der besonders zuverlässigen GaN-Bauteile sind bereits jetzt erhältlich. Auf der PCIM 2018 stellt Infineon (Halle 9, Stand 412) CoolGaN-Produkte für Anwendungen im Bereich Telekommunikation, Adapter, kabelloses Laden und Server vor.

„Infineon ist weltweit führend bei Leistungshalbleitern. Wir sind überzeugt, dass Galliumnitrid der nächste Megatrend beim Strommanagement sein wird“, sagte Steffen Metzger, Leiter High Voltage Conversion bei Infineon. „Wir wollen für unsere Kunden beim Thema GaN Power zur ersten Wahl werden. Hierfür sind wir sehr gut aufgestellt. Der Markt für GaN hat inzwischen eine starke Dynamik entwickelt; die Vorteile dieser Technologie für bestimmte Anwendungen liegen auf der Hand. Angefangen bei sinkenden Betriebskosten und geringerem Investitionsaufwand über höhere Leistungsdichte, die kleinere und leichtere Designs ermöglicht, bis hin zu geringeren Gesamtkosten.”

CoolGaN von Infineon ist eine der zuverlässigsten GaN-Lösungen auf dem Markt und weltweit qualifiziert: Im Rahmen des Qualitätsmanagements wird nicht nur das Bauteil einzelnen Tests unterzogen, sondern auch das Verhalten in der jeweiligen Anwendung geprüft. Die Leistung von CoolGaN ist deutlich besser als andere GaN-Produkte auf dem Markt. Bei 100 ppm (parts per million) beträgt die voraussichtliche Lebensdauer rund 55 Jahre und übertrifft damit deutlich die übliche Lebensdauer der Bauteile um 40 Jahre. CoolGaN ermöglicht beispielsweise die Verdopplung der Stromabgabe im definierten Bauraum einer Stromversorgung. Das bietet sowohl mehr Freiraum für das Design als auch höhere Effizienz.

Verfügbarkeit

Die Volumenproduktion von CoolGaN 400 V- und 600 V-HEMTs im E-Modus wird bis Ende 2018 starten. Das Bauteil wird in 400 V als Variante in 70 mΩ mit unterseitig gekühltem TO-Leadless-Gehäuse angeboten und als oberseitig gekühltes DSO-20-87 für die Oberflächenmontage. Die 600 V CoolGaN-Familie gibt es im oberseitig gekühlten DSO-20-87-Gehäuse und unterseitig gekühlten DSO-20-85. Abgerundet wird das CoolGaN-Portfolio bei der 600 V-Variante mit dem unterseitig gekühlten TO-Leadless- sowie dem DFN 8x8-Gehäuse. Diese beiden Gehäusevarianten sind neben 70 mΩ auch in der Widerstandklasse 190 mΩ erhältlich.

Weitere Informationen über CoolGaN von Infineon sind erhältlich unter www.infineon.com/gan.

Infineon auf der PCIM 2018

Auf der Fachmesse PCIM 2018 (Nürnberg, 5.-7. Juni 2018) zeigt Infineon zukunftsweisende Technologien für effiziente Systeme in Industrie-, Verbraucher- und Automobilanwendungen. Unter dem Motto „Empowering a world of unlimited energy“ werden die Demos von Infineon in Halle 9, Stand #412 ausgestellt. Weitere Informationen zu den Messe-Highlights von Infineon sind erhältlich unter: www.infineon.com/PCIM .

Informationsnummer

INFPMM201806-059

Pressefotos

  • Steffen Metzger, Senior Director High Voltage Conversion, Infineon Technologies AG: „Infineon ist weltweit führend bei Leistungshalbleitern. Wir sind überzeugt, dass Galliumnitrid der nächste Megatrend beim Strommanagement sein wird.“
    Steffen Metzger, Senior Director High Voltage Conversion, Infineon Technologies AG: „Infineon ist weltweit führend bei Leistungshalbleitern. Wir sind überzeugt, dass Galliumnitrid der nächste Megatrend beim Strommanagement sein wird.“
    Steffen_Metzger

    JPG | 1,81 mb | 1417 x 2126 px

  • Die Volumenproduktion von CoolGaN 400 V- und 600 V-HEMTs im E-Modus wird bis Ende 2018 starten.
    Die Volumenproduktion von CoolGaN 400 V- und 600 V-HEMTs im E-Modus wird bis Ende 2018 starten.
    CoolGaN_DSO-20-87-TSC

    JPG | 334 kb | 2126 x 1233 px

  • Die Volumenproduktion von CoolGaN 400 V- und 600 V-HEMTs im E-Modus wird bis Ende 2018 starten.
    Die Volumenproduktion von CoolGaN 400 V- und 600 V-HEMTs im E-Modus wird bis Ende 2018 starten.
    CoolGaN_DSO-20-85-BSC

    JPG | 541 kb | 2126 x 1517 px

  • Die Volumenproduktion von CoolGaN 400 V- und 600 V-HEMTs im E-Modus wird bis Ende 2018 starten.
    Die Volumenproduktion von CoolGaN 400 V- und 600 V-HEMTs im E-Modus wird bis Ende 2018 starten.
    CoolGaN_600V_HSOF-8-3

    JPG | 632 kb | 2126 x 1202 px

  • Die Volumenproduktion von CoolGaN 400 V- und 600 V-HEMTs im E-Modus wird bis Ende 2018 starten.
    Die Volumenproduktion von CoolGaN 400 V- und 600 V-HEMTs im E-Modus wird bis Ende 2018 starten.
    CoolGaN_600_V_e-Mode_DFN_8x8_Combi

    JPG | 636 kb | 2126 x 1104 px

  • Die Volumenproduktion von CoolGaN 400 V- und 600 V-HEMTs im E-Modus wird bis Ende 2018 starten.
    Die Volumenproduktion von CoolGaN 400 V- und 600 V-HEMTs im E-Modus wird bis Ende 2018 starten.
    CoolGaN_400V_e-ModeDSO-87-20_TSC_Combi

    JPG | 574 kb | 2126 x 1233 px

  • Die Volumenproduktion von CoolGaN 400 V- und 600 V-HEMTs im E-Modus wird bis Ende 2018 starten.
    Die Volumenproduktion von CoolGaN 400 V- und 600 V-HEMTs im E-Modus wird bis Ende 2018 starten.
    CoolGaN_400V_e-Mode_HSOF-8-1_Combi

    JPG | 642 kb | 2126 x 1202 px