Gate-Treiber IC 1EDN von Infineon ermöglicht niedrigsten Eigenverbrauch und hohe Robustheit
München, 3. November 2016 – Die Infineon Technologies AG stellt die 1EDN-EiceDRIVER TM-Familie vor. Dieser einkanalige Low-Side Gate-Treiber-IC eignet sich ideal für MOSFETs und IGBTs sowie für GaN-Leistungshalbleiter. Pin-Out und Gehäuse sind mit dem Industriestandard kompatibel, was den einfachen Austausch in bestehenden Designs erleichtert. Anwendungen wie Telekom und Industrie-SMPS nutzen die herausragende Leistung des Treiber-IC ebenso wie Gleichstromwandler und PFC-Stufen in Ladestationen für Elektroautos. Auch Industrieanwendungen wie Elektrowerkzeuge, USV, Klimaanlagen und Ventilatoren profitieren von den Vorteilen. Der Gate-Treiber unterstützt darüber hinaus das kabellose Laden.
Geringere interne Verlustleistung
Die 1EDN-EiceDRIVER-Familie von Infineon setzt industrieweit Maßstäbe bei der internen Verlustleistung. Denn die niederohmige Ausgangsstufe trägt zu einer deutlichen höheren Effizienz bei. Diese liegt um rund 30 Prozent höher als bei Vergleichsprodukten. Das gewährt eine höhere Flexibilität beim Design: Obwohl mehrere Leistungshalbleiter mit einem Treiber gesteuert werden, bleibt der Wärmeumsatz in den definierten Grenzen.
Die Ausgänge der 1EDN-Familie verfügen beim Rückstrom über eine branchenweit führende Robustheit von 5 A, wodurch die Notwendigkeit für Schutzdioden entfällt. Dies ist sehr hilfreich bei MOSFETs in TO-220- oder TO-247-Gehäusen, welche große parasitäre Induktivitäten aufweisen. Kunden sparen mit den neuen Treiber-ICs deshalb sowohl bei den Materialkosten als auch beim Platz auf der Schaltplatine.
Das 1EDN-Portfolio zeichnet sich aus durch die Robustheit beim Eingang, die bei -10 V liegt. Bei der Steuerung von Gate-Tranformatoren liefert dies eine entscheidende Sicherheitsmarge gegen einen Masseversatz. Diese zusätzliche Robustheit schützt vor elektrischer Überlastung der Eingänge oder Latch-up des Treiber-IC. Die 1EDN-Familie umfasst Varianten, die Anschlüsse für separaten Source- und Sink-Ausgang bieten. Dies erleichtert es, die Geschwindigkeit für Ein- und Ausschaltvorgänge zu optimieren. Gleichzeitig wird damit eine externe Diode eingespart. Die 1EDN-EiceDRIVER-Familie ist in Volumenproduktion und wird auf der electronica 2016 präsentiert. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/1edn.
Infineon auf der electronica 2016 (8.–11. November 2016, München)
Jeden Tag wird die Welt smarter und vernetzter: Auf der electronica 2016 zeigt Infineon Anwendungsbeispiele und Produktlösungen, die Autos, Fabriken und das Zuhause smart, sicher und energieeffizient machen. Entdecken lassen sich diese am Stand 506 in Halle A5; Detailwissen vermitteln die Expertengespräche beim Infineon IoT Security Circle. Weitere Informationen zu den Messeschwerpunkten sind erhältlich unter www.infineon.com/electronica.
Informationsnummer
INFPMM201611-009
Pressefotos
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Die 1EDN-EiceDRIVER-Familie eignet sich ideal für MOSFETs und IGBTs sowie für GaN-Leistungshalbleiter. Pin-Out und Gehäuse sind mit dem Industriestandard kompatibel, was den einfachen Austausch in bestehenden Designs erleichtert.1EDN_EiceDRIVER_SOT-23_6pin_vA_plain
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