Infineon präsentiert 650-V-TRENCHSTOP™ 5 – IGBTs mit höchster Performance in ihrer Klasse erfüllen anspruchsvollste Kundenvorgaben

Neubiberg – 14. Mai 2013 – Die Infineon Technologies AG präsentiert auf der PCIM 2013 in Nürnberg die 650-V-TRENCHSTOP™ 5-Technologie. Seit Einführung der neuesten Dünnwafer-IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)-Generation im Herbst 2012 erfreut sich TRENCHSTOP™ 5 einer hohen Marktakzeptanz und wird als bahnbrechende Technologie anerkannt. Während mittlerweile bereits mehr als 400 Kunden Entwicklungsmuster erhalten haben, wird Infineon im Mai 2013 mit der Volumenfertigung beginnen. Eine Vielzahl der bemusterten Kunden wird die neuen Bausteine in ihrer Pilotfertigung einsetzen.

TRENCHSTOP™ 5 repräsentiert einen Quantensprung in Bezug auf die IGBT-Performance, indem der System-Wirkungsgrad gegenüber den am Markt erhältlichen Technologien signifikant verbessert wurde. Erste Rückmeldungen der Kunden unterstreichen dies, wobei der System-Wirkungsgrad um bis zu einem Prozent im Vergleich zu IGBTs des Wettbewerbs erhöht werden konnte. Diese Effizienz-Steigerung in Kombination mit einer höheren Durchbruchsspannung für höhere Zuverlässigkeit stellt einen deutlichen Wettbewerbsvorteil mit der Möglichkeit zur Differenzierung dar. Hiermit kann die hohe Kundenakzeptanz erklärt werden.

Hoher Wirkungsgrad und hohe Leistungsdichte prädestinieren TRENCHSTOP™ 5 als erste Wahl für die Boost-Stufe (Aufwärtswandler) in Photovoltaik-Wechselrichtern mit Schaltfrequenzen von 16 kHz bis 30 kHz oder in USV-PFC-Stufen und Batterie-Ladegeräten mit Schaltfrequenzen von 20 kHz bis 70 kHz. Der höhere Wirkungsgrad ermöglicht entweder geringere Betriebstemperaturen für eine verbesserte Zuverlässigkeit über die Produktlebenszeit oder Designs mit höherer Leistungsdichte. Letzteres erlaubt den Anwendern für ihre Designs kleinere Gehäuse einzusetzen, beispielsweise ein TO-220- statt einem TO-247-Gehäuse.

Für Anwendungen in störempfindlichen Systemen wie Audioverstärkern ist der TRENCHSTOP™ 5-IGBT bereits auf großes Interesse gestoßen. Denn durch seine außerordentliche Zuverlässigkeit und sein softes Schaltverhalten ermöglicht er Designs mit sauberer Busspannungsversorgung in großen Eingangsspannungsbereichen. Bei der Verstärkerstufe sorgt er damit für höchste Audioqualität bei gleichzeitig niedrigem Systemgewicht.

Der sehr gute Wirkungsgrad von TRENCHSTOP™ 5 führt zu einem um 60 Prozent geringeren Ausschaltverlust im Vergleich zur HighSpeed H3-Familie von Infineon sowie einem geringen positiven Temperaturkoeffizienten der Sättigungsspannung, was wiederum die Leitungsverluste positiv beeinflusst. Die um den Faktor 2,5 geringere Gate-Ladung im Vergleich zu H3 führt dazu, dass der IGBT einfacher angesteuert werden kann. Kleinere Treiber wiederum resultieren in Kosteneinsparungen. Außerdem bietet TRENCHSTOP™ 5 eine temperaturstabile Vorwärtsspannung für die Freilaufdiode mit einer schnellen Sperrerholzeit von weniger als 50 ns. Eine geringe Ausgangskapazität sorgt für eine hohe Effizienz bei geringen Lasten, was ideal für Anwendungen ist, die üblicherweise mit weniger als 40 Prozent der Volllast betrieben werden.

Verfügbarkeit und weitere Informationen
Muster für Stromstärken von 8 A bis zu 50 A stehen in TO-220-, TO-220FP- und TO-247-Gehäusen zur Verfügung. Weitere Informationen zu den 650-V-TRENCHSTOP™ 5-IGBTs sind erhältlich unter: www.infineon.com/trenchstop5. Infineon präsentiert den TRENCHSTOP™ 5 auf der Fachmesse PCIM 2013 vom 14. bis 16. Mai auf der Nürnberger Messe in Halle 9, Stand 311. Weitere Informationen zu den auf der PCIM 2013 präsentierten Highlights sind erhältlich unter: www.infineon.com/PCIM2013.

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen an, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 26.700 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2012 (Ende September) einen Umsatz von 3,9 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol "IFX" und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol "IFNNY" notiert.