Infineon setzt mit innovativer Gehäuse-Technologie H-PSOF für Leistungshalbleiter in Automobilen neue Maßstäbe bei Stromtragfähigkeit und Wirkungsgrad

Neubiberg, 26. Januar 2012 – Infineon Technologies hat für Leistungshalbleiter in Fahrzeugen ein neues Gehäuse mit hoher Stromtragfähigkeit und hohem Wirkungsgrad entwickelt. Das neue TO-Gehäuse entspricht dem JEDEC-Standard H-PSOF (Heatsink Plastic Small Outline Flat lead). Zum Einsatz kommt es in anspruchsvollen Automobilelektronik-Applikationen: im Batterie-Management für Elektro- und Hybrid-Fahrzeuge, in der elektrischen Servolenkung (EPS) oder der aktiven Lichtmaschine. Die ersten Produkte im H-PSOF-Gehäuse sind 40-V-Leistungs-MOSFETs der Familie OptiMOS™ T2 mit Strömen bis zu 300 A und extrem geringen RDS(on)-Werten von nur 0,76 mΩ.

Mit verbesserten Leistungselektronik-Komponenten können Systementwickler die gesetzlichen Vorgaben für die Effizienz von Automobilen erfüllen und gleichzeitig die Emissionen senken. Um diesen Anforderungen zu entsprechen, müssen die Durchlasswiderstände gesenkt bzw. der Wirkungsgrad erhöht werden. Dafür sind Leistungs-MOSFETs mit Stromstärken von mehr als 200 A sowie geringen Durchlasswiderständen R _DS(on) von weniger als 1 mΩ erforderlich. Diese standen dem Automobilmarkt bisher nicht zur Verfügung.

Mit der Einführung des H-PSOF-Gehäuses setzt Infineon Maßstäbe und bietet 40-V-MOSFETs mit einer Stromtragfähigkeit von bis zu 300 A bei R _DS(on)-Werten von nur 0,76 mΩ. Im Vergleich zu herkömmlichen D ²PAK (TO-263)-Gehäusen wurden beim H-PSOF auch die Abmessungen und die Höhe deutlich reduziert. Die Abmessungen des H-PSOF-Gehäuses sind etwa 20 Prozent kleiner als bei heutigen D ²PAK-Gehäusen und seine Gehäusehöhe beträgt etwa nur die Hälfte.

„Mit der Entwicklung des H-PSOF-Gehäuses bestätigt Infineon seine Technologieführerschaft in der Automobil- und Leistungselektronik und seine große System-Expertise“, sagte Jochen Hanebeck, Division President, Automotive Division der Infineon Technologies AG. „Mit dieser Gehäuse-Innovation für Hochstrom-MOSFETs können Automobilzulieferer energieeffizient und zuverlässig die Forderungen nach weniger Treibstoffverbrauch und niedriger Emission erfüllen.“

Mit dem neuen H-PSOF-Gehäuse können Automobilelektronikhersteller Hochstrom-Anwendungen besser bedienen. Zu diesen gehören das Batterie-Management für Hybrid-Fahrzeuge, elektrische Servolenkungen (EPS), aktive Lichtmaschinen und andere Anwendungen mit hoher Last, die den Wirkungsgrad des Fahrzeugs verbessern und den Schadstoffausstoß senken. Als Wachstumsmarkt nennt das US-amerikanische Marktforschungsunternehmen Strategy Analytics in einer aktuellen Studie die EPS- und Start-/Stopp-Systeme. Dieses Segment soll sich von etwa 47 Millionen Einheiten im Jahr 2011 auf ca. 110 Millionen in 2016 mehr als verdoppeln. Das entspricht einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von etwa 19 Prozent.

Das wesentliche Entwicklungsziel für das H-PSOF-Gehäuse war die Reduzierung des Gehäuse-Widerstands und die Erhöhung der Stromtragfähigkeit im Vergleich zum D ²PAK-Gehäuse für Hochstrom-Anwendungen.

Das H-PSOF-Gehäuse bietet auch Vorteile bei der Fertigung und Bestückung. Durch sein spezielles Design wird eine gute Benetzung für ein zuverlässiges Löten erreicht. Außerdem lassen sich die Lötanschlüsse mittels automatischer, optischer Inspektion (AOI) untersuchen. AOI ist gängiger Bestandteil einer SMT-Fertigungslinie.

Verfügbarkeit

Das erste verfügbare Produkt im H-PSOF-Gehäuse ist der IPLU300N04S4-R7 aus der 40-V-MOSFET-Familie OptiMOS T2 von Infineon. Dieser Leistungstransistor setzt einen neuen Maßstab für Automobilanwendungen im Bereich Energieeffizienz, CO2-Reduzierung und elektrischer Antriebe. Der IPLU300N04S4-R7 bietet einen kontinuierlichen Drain-Strom (I _D) von 300 A mit einem R _DS(on) von nur 0,76 mΩ. Die Leistungs-Bauelemente im H-PSOF-Gehäuse sind gemäß AEC-Q101 qualifiziert. Infineon wird im neuen H-PSOF-Gehäuse weitere Automobil-MOSFETs mit Spannungen von 40 V und 30 V auf den Markt bringen.

Weitere Informationen

Weitere Informationen zu Infineons MOSFETs und Chipportfolio für die Automobilelektronik erhalten Sie unter www.infineon.com/automotivemosfet und www.infineon.com/automotive

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen an, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Mobilität sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 26.000 Mitarbeiterinnen und Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2011 (Ende September) einen Umsatz von 4 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com