Infineon bietet 2. Generation der ThinQ!™ Siliziumkarbid Schottky-Dioden jetzt auch im voll isolierten TO-220 FullPAK-Gehäuse

Neubiberg, 5. Mai 2010 – Infineon Technologies kündigte heute die Verfügbarkeit seiner zweiten Generation Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Dioden im TO-220 FullPAK-Gehäuse an. Das neue Produktportfolio im TO220 FullPak kombiniert die ausgezeichneten elektrischen Kennwerte der ThinQ!™ SiC-Schottky-Dioden der 2. Generation mit den Vorteilen eines voll isolierten Gehäuses, insbesondere der einfacheren und zuverlässigen Montage ohne Isolations-Durchführung und -Folie.

Die neuen TO220 FullPAK-Dioden weisen einen ähnlichen thermischen Widerstand zwischen Sperrschicht und Kühlköper auf als nicht isolierte Standard TO-220-Bauelemente. Dieses Merkmal konnte durch die patentierte Diffusions-Löttechnik von Infineon erreicht werden, mit der der thermische Widerstand vom Chip zum Leadframe deutlich reduziert und so der interne Isolations-Layer des FullPAK kompensiert wird. Infineon bietet das 600-V-FullPAK-Portfolio mit Stromwerten von 2 bis 6 A an. Damit steht das industrieweit umfangreichste Portfolio an SiC-Dioden in diesem Gehäuse zur Verfügung. Diese Dioden sind ideal für Anwendungen in Schaltnetzteilen (SMPS) wie in LCD/PDP- oder Computer-Stromversorgungen.

Siliziumkarbid ist ein revolutionäres Material für Leistungshalbleiter, da seine physikalischen Eigenschaften die von Silizium deutlich übertreffen. Die wesentlichen Merkmale sind ein ausgezeichnetes Schaltverhalten, keine Sperrerholzeit, praktisch kein Temperatureinfluss auf das Schaltverhalten und eine Standard-Betriebstemperatur von -55°C bis 175°C. Das typische Anwendungsfeld von SiC-Dioden ist die Leistungsfaktor-Korrektur (PFC) in Schaltnetzteilen und in anderen AC/DC- und DC/DC-Spannungswandlern wie in Solar-Invertern oder Motorantrieben.

Infineon war der weltweit erste Anbieter von SiC-Schottky-Dioden mit der Produkteinführung 2001. In den letzten Jahren hat Infineon seine SiC-Schottky-Dioden kontinuierlich und signifikant verbessert, insbesondere im Hinblick auf Stromstoßfestigkeit, Schaltverhalten, Systemkosten und Gehäusetechnik, was das Anwendungsspektrum erweitert. Die SiC-Schottky-Dioden werden mit 600 und 1200 V angeboten.

Verfügbarkeit und Preise

Das komplette Portfolio der SiC TO220 FullPAK-Dioden ist bereits in der Produktion, mit Preisen die den Varianten im standardmäßigen TO220-Gehäuse entsprechen.

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 25.650 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2009 (Ende September) einen Umsatz von 3,03 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY" notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com.