Infineon stellt zwei neue Hochfrequenz-Chips für LTE- und 3G-Mobilfunktechnologien vor - SMARTi LU für höchste Datenraten in LTE-Netzen und SMARTi UEmicro für Low-Cost-3G-Mobilfunkgeräte

Neubiberg, 14. Januar 2009 – Die Infineon Technologies AG, ein führender Anbieter von Kommunikations-ICs, hat heute Muster für seine zweite Generation der LTE (Long-Term Evolution)-Hochfrequenz-Transceiver vorgestellt. Der SMARTi™ LU ist ein Single-Chip-CMOS-RF-Transceiver in 65-nm-Technologie mit 2G/3G/LTE-Funktionalität und einer digitalen Transceiver-Basisband-Schnittstelle im DigRF-Standard für Datenraten von bis zu 150 Mbit/s in LTE-Netzen.

Des Weiteren hat Infineon seine dritte Generation der erfolgreichen 3G-RF-Transceiver-Familie SMARTi™ UE angekündigt. Der SMARTi™ UEmicro wurde für Low-Cost 3G-Mobiltelefon-Designs optimiert und reduziert die Systemkosten des Funkteils für Dual-Band-WCDMA/EDGE auf 6,50 US-Dollar. Die Kosten liegen so um rund 40 Prozent unter industrieweit verfügbaren Lösungen.

„Mit SMARTi LU als weltweit erstem Single-Chip 2G/3G/LTE-Transceiver haben wir unseren Führungsanspruch als Anbieter von Hochleistungs-Multimode-HF-Transceivern erneut unter Beweis gestellt“, kommentiert Stefan Wolff, Vice President der Wireless Solutions Division und General Manager des RF Engine Geschäfts bei Infineon. „Wir sind nicht nur der innovativste Anbieter im Bereich LTE-Hochfrequenzlösungen, wir werden auch der Nachfrage nach besonders preisgünstigen 3G-Handys im Massenmarkt gerecht. Beim SMARTi UEmicro haben wir die Anzahl der Komponenten und damit die Systemkosten weiter reduziert. Sobald die ehrgeizigen Kostenziele für das Consumer-Segment erreicht sind, wird sich die 3G-Technologie in neuen Märkten weiter etablieren “

SMARTi™ LU

Der SMARTi LU ist ein hochintegrierter 2G/3G/LTE-Multimode-HF-Transceiver, der die Standards 3GPP Rel. 7 und Rel. 8 erfüllt. Er unterstützt bis zu sechs 3G- und LTE-Frequenzbänder sowie Quad-Band-GSM/EDGE. Zu dem großen Funktionsumfang zählen Features wie LTE FDD der Klasse 4 (bis zu 150 Mbit/s im Downlink und 50 Mbit/s im Uplink), MIMO (Multiple Input/Multiple Output) Rx-Diversity (2 Rx + 1 Tx), HSPA+, HSPA, WCDMA und GSM/GPRS/EDGE. Der Chip unterstützt eine große Anzahl regional unterschiedlicher HSPA/LTE-Frequenzbänder. Die mit dem DigRF v4-Standard der MIPI (Mobile Industry Processor Interface)-Herstellerallianz konforme Highspeed-Basisband-Schnittstelle des SMARTi LU setzt bei der Entwicklung „rein digitaler“ Implementierungen Maßstäbe und ist Wegbereiter zu einer schnelleren Miniaturisierung der Basisband-ICs in Richtung kleinerer Strukturbreiten von 32 Nanometern und darunter. Der SMARTi LU basiert auf einer Standard-65-nm-CMOS-Technologie, die von mehreren Halbleiter Foundries angeboten wird. Infineon zeigt auf dem diesjährigen Mobile World Congress in Barcelona erste Muster und Messergebnisse.

SMARTi™ UEmicro

Der SMARTi UEmicro ist ein Single-Chip-2G/3G-CMOS-HF- Transceiver für das unterste Preissegment des 3G-Markts. Der Transceiver ist eine nochmals kostenreduzierte Version des bewährten und vom Markt gut angenommenen SMARTi UE mit einer rückwärtskompatiblen Hard- und Software-Schnittstelle nach DigRF v3.09. Durch den Verzicht auf externe Low-Noise-Amplifier (LNAs) und ein vereinfachtes co-banded Hochfrequenz-Frontend ohne Rx-Filter ist der SMARTi UEmicro perfekt auf die Anforderungen des Massenmarkts für Ultra-Lowcost-3G-Geräte abgestimmt. Der SMARTi UEmicro bietet eine außergewöhnlich gute RF-Performance für bis zu drei der weltweit verbreiteten WCDMA-Bänder sowie Dual- oder Quad-Band-GSM/EDGE bei niedrigsten Systemkosten.

Kundenmuster werden ab dem zweiten Quartal 2009 erhältlich sein. Der Start der Volumenproduktion ist für Ende des Jahres 2009 geplant.

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 29.100 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2008 (Ende September) einen Umsatz von 4,3 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt und New York unter dem Symbol „IFX“ notiert. Infineon hält gegenwärtig einen Anteil von 77,5 Prozent in der Qimonda AG, einem weltweit führenden Anbieter von Speicherprodukten. Qimonda ist an der New York Stock Exchange mit dem Tickersymbol „QI“ gelistet.