HF-Leistungstransistor von Infineon mit höchster Spitzenausgangsleistung im 700-MHz-Band

Neubiberg, Deutschland und Atlanta, USA – 16. Juni 2008 – Auf dem IEEE MTT-S International Microwave Symposium in Atlanta stellt die Infineon Technologies AG (FSE/NYSE: IFX), ein führender Anbieter von Kommunikations-ICs und -Lösungen, heute eine neue Familie von HF-Leistungstransistoren vor, die speziell für drahtlose Infrastrukturen im 700-MHz-Frequenzband ausgelegt ist. Dieses Band wird in den USA für die Einführung des 4G-Mobilfunknetzes, mobiler TV- und anderer mobiler Breitband-Dienste, einschließlich LTE (Long Term Evolution) - dem kommenden drahtlosen Netzwerk-Standard - genutzt. Die neue Familie erweitert das breite Portfolio an HF-Leistungstransistoren von Infineon und bietet mit einem 55-W-Treiber sowie zwei Transistoren (170 W und 240 W) für die Ausgangsstufe die höchste Spitzenausgangsleistung im 700-MHz-Band.

Auf Basis der fortschrittlichen LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor)-Prozesstechnologie von Infineon verfügen die neuen Bausteine über eine interne Breitband-Anpassung an den Ein- und Ausgängen sowie eine hohe Linearität, was das Verstärkerdesign vereinfacht. Die neuen Bauelemente sind prädestiniert für Doherty-Verstärker, in denen parallele Trägerfrequenz- und Peaking-Stufen für eine höhere Effizienz genutzt werden. Doherty-Verstärker erfreuen sich in Mobiltelefon- und drahtlosen Internet-Systemdesigns steigender Popularität.

„Anwender verlangen zunehmend, dass die drahtlosen Netzwerke denselben Komfort mit Funktionalitäten bieten, wie sie es von drahtgebundenen Verbindungen gewohnt sind“, sagte Helmut Vogler, Vice President und General Manager für RF Power bei Infineon Technologies. „Netzwerke, die im 700-MHz-Band arbeiten, ermöglichen die Migration von Internet-Anwendungen von drahtgebundenen hin zu drahtlosen Verbindungen. Dazu gehören Dienste wie Voice-over-IP, Video-Streaming, das Herunterladen von Musik sowie mobiles Fernsehen. Unsere neuen 700-MHz-HF-Leistungstransistoren helfen beim Aufbau von entsprechenden Infrastrukturen, um die Anforderungen einer neuen Generation von Endgeräten in Bezug auf die neuen mobilen Anwendungen erfüllen zu können.“

Baustein-Details

Zur typischen 2-Tone-PEP(Peak Envelope Power)-Leistungsfähigkeit bei 28-V-Versorgungsspannung der 55-W-Transistoren PTFA070551E/PTFA070551F von Infineon gehört eine Verstärkung von 18,5 dB sowie ein Wirkungsgrad von 48 Prozent. Für die 170-W-FETs PTFA071701GH/PTFA071701HL sind die entsprechenden Spezifikationen 18 dB und 40 Prozent.

Bei 30-V-Versorgung wird die typische 2-Tone-PEP-Performance für die 240-W-LDMOS-Transistoren PTFA072401E/ PTFA072401F ebenfalls mit 18 dB Verstärkung und 40 Prozent Wirkungsgrad spezifiziert.

Alle Produkte sind in bleifreien, RoHS-kompatiblen Gehäusen verfügbar. Die thermisch optimierten Open-Cavity-Gehäuse mit geschlitzten oder „earless“ Flanschen ermöglichen ein Stehwellenverhältnis (VSWR, Voltage Standing Wave Ratio) von 10:1 bei CW (Continuous Wave)-Ausgangsleistung.

Verfügbarkeit

Muster der neuen 700-MHz-HF-Leistungstransistoren sind verfügbar. Die Volumenproduktion läuft im vierten Quartal 2008 an.

Infineon demonstriert die neuen 700-MHz-LDMOS-Transistoren auf seinem Stand (Stand-Nr. 1216) während des IEEE MTT-S International Microwave Symposiums vom 16. bis 19. Juni in Atlanta.

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 43.000 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen (davon etwa 13.500 bei Qimonda) erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2007 (Ende September) einen Umsatz von 7,7 Milliarden Euro (davon 3,6 Milliarden Euro von Qimonda). Das Unternehmen ist in Frankfurt und New York unter dem Symbol „IFX“ notiert.