OptiMOS 3 MOSFETs mit 40 V, 60 V und 80 V von Infineon im SuperSO8-Gehäuse bieten weltweit niedrigsten Durchlasswiderstand und verbessern Leistungsdichte um bis zu 50 Prozent in Industrie-, Konsumer- und Telekommunikationsanwendungen

Neubiberg und Nürnberg – 27. Mai 2008 – Auf der Nürnberger Kongressmesse „PCIM Europe 2008“ hat die Infineon Technologies AG die neuen OptiMOS™3 N-Kanal-MOSFETs mit 40 V, 60 V und 80 V in den kleinen SMD-Gehäusevarianten SuperSO8™ und S3O8 vorgestellt. In diesen Gehäusen und diesen Spannungsklassen bieten OptiMOS 3-MOSFETs heute den weltweit geringsten Durchlasswiderstand. Im Vergleich zu Standard-TO (Transistor Outline)-Gehäusen verbessern die SuperSO8-Produkte die Leistungsdichte um bis zu 50 Prozent, besonders in synchronen Gleichrichter-Anwendungen in Server-Schaltnetzteilen. Obwohl das SuperSO8-Gehäuse nur etwa ein Fünftel so groß wie das D²PAK-Gehäuse ist, bietet es einen genauso niedrigen Durchlasswiderstand (R _DS(on)).

„Durch den geringen Durchlasswiderstand und die niedrige Induktivität der SMD-Gehäuse verringert sich deren Einfluss auf das Bauelemente-Verhalten. So können wir die Vorteile der OptiMOS3-Siliziumtechnologie wie das optimierte Schaltverhalten voll ausnutzen“, sagte Gerhard Wolf, Director Marketing, Power Management und Drives bei Infineon Technologies.

Die in ihrer Spannungsklasse jeweils niedrigsten R _DS(on)max-Werte von 1,8 Milliohm für OptiMOS 3 40 V, von 2,8 Milliohm für 60 V und von 4,7 Milliohm für 80 V setzen einen neuen Maßstab im SuperSO8-Gehäuse und reduzieren den Durchlasswiderstand um bis zu 50 Prozent im Vergleich zum nächstbesten Wettbewerberprodukt. Die Figure-Of-Merit (FOM, Produkt aus Durchlasswiderstand und Gate-Ladung) der Bausteine ist um 25 Prozent besser als bei vergleichbaren Bauteilen in Standard-TO-Gehäusen. Das ermöglicht schnelleres Schalten, während sich die Schalt- und Gatetreiber-Last verringern. Folge sind höhere Leistungsdichten oder weniger Wärmeentwicklung im Treiber. Die geringe Induktivität des SuperSO8-Gehäuses von nur 0,5 nH im Vergleich zu 5 nH bis 10 nH einer TO-220-Lösung verbessert den Gesamtwirkungsgrad und reduziert das Überschwingen beim Schalten.

Mit einer Gesamtgehäusehöhe von nur einem Millimeter und einem R _th-jt (thermischer Sperrschicht-Widerstand an der Oberseite) von nur 16 °K/W ist OptiMOS 3 im SuperSO8-Gehäuse ideal für Lösungen mit Topside-Kühlung in Embedded-Systemen oder in PC-basierten Modulen für den vertikalen Einbau von integrierten 3D-Systemen.

„Als einer der Technologieführer bei Leistungshalbleitern läutet Infineon den Trend zu ultra-kleinen Gehäusen ein, die den Durchlasswiderstand um bis zu 50 Prozent senken“, sagte Gerhard Wolf. „Aufgrund unserer führenden Position bei Halbleiterfertigung und Gehäusetechnologien bieten wir Leistungshalbleiter mit bestem Wirkungsgrad und bestem Schaltverhalten ihrer Spannungsklasse, der höchsten Leistungsdichte sowie einem ausgezeichneten Preis-/Leistungs-Verhältnis, das die Systemkosten beträchtlich senkt.“

OptiMOS™ 3 40 V, 60 V, 80 V: Anwendungen und Produktdetails

Die OptiMOS 3-Produkte sind für Leistungswandlungs- und Leistungsmanagement-Applikationen ausgelegt, die einen hohen Wirkungsgrad und hohe Leistungsdichte erfordern. Dazu gehören Schaltnetzteile (SMPS), DC/DC-Wandler und DC-Motorantriebe für Computer, Haushaltsgeräte, kleine Elektrofahrzeuge, industrielle Automatisierungssysteme, Telekommunikationsgeräte und Konsumer-Geräte wie elektrische Werkzeuge, Rasenmäher und Lüfter.

Die OptiMOS 3-Produkte im SuperSO8-Gehäuse erfüllen die Anforderungen von schnellen Schaltnetzteilen und DC/DC-Wandlern in vielfältigen Applikationen wie synchronen Gleichrichtern in AC/DC-Schaltnetzteilen, Switches (primär- und sekundärseitig) in isolierten DC/DC-Wandlern oder nichtisolierten (Buck)-Industriewandlern, wo Platzbedarf, Leistungsdichte und maximaler Wirkungsgrad die Schlüsselfaktoren sind. In Kombination mit einem thermischen Widerstand von 1 °K/W auf der Leiterplatte, der Möglichkeit einer Top- als auch beiderseitigen Kühlung und einem kontinuierlichen Strom von 100 A setzt die OptiMOS 3-Familie einen neuen Standard in der 40- bis 80-V-Klasse. Infineon bietet auch die industrieweit ersten MOSFETs mit 60- und 80-V-Durchbruchsspannung im S3O8-Gehäuse, das etwa 60 Prozent weniger Platz braucht als SO8- und SuperSO8-Gehäuse.

Verfügbarkeit und Preise

Die neuen OptiMOS 3 Leistungs-MOSFETs mit 40 V, 60 V und 80 V sind in den Gehäusevarianten SuperSO8 und S3O8 mit unterschiedlichen R _DS(on)-Werten verfügbar. Für die 60-V-Familie ist die Volumenfertigung bereits angelaufen. Für die 40- und 80-V-Bausteine sind Muster verfügbar.

Bei Bestellmengen von 10.000 Stück beträgt der Preis für den leistungsstärksten OptiMOS 3 60 V mit einem R _DS(on) von 2,8 Milliohm im S3O8-Gehäuse weniger als 0,64 Euro (etwa 0,99 US-Dollar), der für die 80-V-Version mit einem R _DS(on) von 4,7 Milliohm im SuperSO8-Gehäuse etwa 0,70 Euro (etwa 1,10 US-Dollar). Bei gleichen Stückzahlen kostet ein OptiMOS 3 60 V (6,7 Milliohm) im S3O8-Gehäuse etwa 0,38 Euro (etwa 0,60 US-Dollar) und ein OptiMOS 3 80 V (12,3 Milliohm) im S3O8-Gehäuse etwa 0,42 Euro (etwa 0,66 US-Dollar).

Infineon präsentiert seine OptiMOS 3-Leistungshalbleiter in SuperSO8- und S3O8-Gehäusen und weitere innovative Leistungselektronik-Lösungen in Halle 12 auf Stand ‚#404 der „PCIM Europe 2008” (Nürnberg, 27. bis 29. Mai 2008).

Weitere Informationen findet man unter: www.infineon.com/powermosfets und www.infineon.com/optimos

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 43.000 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen (davon etwa 13.500 bei Qimonda) erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2007 (Ende September) einen Umsatz von 7,7 Milliarden Euro (davon 3,6 Milliarden Euro von Qimonda). Das Unternehmen ist in Frankfurt und New York unter dem Symbol „IFX“ notiert.