Infineon schützt mit der weltweit kleinsten TVS-Diode modernste tragbare Elektronik und High-Speed-Datenkommunikation vor elektrostatischer Entladung

Neubiberg, 12. Dezember 2007 – Heute hat Infineon, der Technologieführer für TVS (Transient Voltage Suppression)-Dioden die weltweit kleinsten Bauteile dieser Art vorgestellt. Mit nur 0,6 x 0,3 mm2 Grundfläche und einer Höhe von nur 0,3 mm schützen diese Dioden der Infineon ESD-Serie modernste Geräte der Kommunikations- und Unterhaltungselektronik gegen elektrostatische Überspannungen. Die TVS-Dioden leiten elektrostatische Spannungsspitzen von bis zu 20 kV sicher ab und zeichnen sich durch eine Ansprechzeit von unter 0,5 ns aus. Für unterschiedliche Einsatzzwecke wurden eine uni- und eine bidirektionale Version vorgestellt. Mit ihrer industrieweit führenden flachen Bauform entsprechen sie dem Trend der Mobilkommunikation zu immer flacheren Geräten und mit ihren niedrigen parasitären Kapazitäten sind sie für Anwendungen der High-Speed-Datenkommunikation prädestiniert.

“Immer kleiner werdende Strukturen und der Trend zu immer höheren Datenraten führen zu immer empfindlicheren hochintegrierten Chips; in der Folge steigen die Anforderungen an ESD-Bauelemente“, sagte Holger Homann, Marketingdirektor für dieses Infineon-Produktsegment. „Nur ausreichender Schutz gegen elektrostatische Entladungen und Transienten bieten Betriebssicherheit und höchste Zuverlässigkeit. modernster Kommunikationselektronik. Damit werden TVS-Dioden zu einem entscheidenden Qualitätsmerkmal. Industrieweit gibt es derzeit keine kleineren TVS-Dioden als unsere ESD-Schutzdioden, die wir als Komplettanbieter im Hochvolumen fertigen.“

ESD8V0R1B-02LS

Besonders für den Einsatz im breiten Spannungsbereich von -8 bis +14 V geeignet ist die bidirektionale TVS-Diode ESD8V0R1B-02LS. Mit einer parasitären Kapazität von nur 4 pF ist die Signalintegrität bei High-Speed-Anschlüssen wie USB 2.0 und Firewire an elektronischen Geräten wie Mobiltelefon, MP3-Player, digitalen Video- und Fotokameras gewährleistet.

Der Leckstrom – besonders wichtig für batteriebetriebene Geräte – liegt bei weniger als 1 nA und ist damit der branchenweit führende Wert. Die geringe Durchbruchspannung von typischerweise 17 V schützt die Elektronik sicher vor Transienten und elektrostatischer Entladung.

ESD5V3U1U-02LS

Für noch höhere Anforderungen an den Datendurchsatz, wie ihn etwa HDMI- (1,65 GBit/s) oder S-ATA- (3 GBit/s) Schnittstellen mit sich bringen, kann Infineon die unidirektionale TVS-Diode ESD5V3U1U-02LS liefern. Bei dieser Variante wurde die parasitäre Kapazität um den Faktor 10 auf 0,4 pF gesenkt, welches branchenführend ist. Diese Diode wird für Anwendungen mit einer Betriebsspannung von 3,3 V oder 5,3 V angeboten. Mit Kontaktentladung von über 20kV nach IEC61000-4-2 und Klemmenspannungen von 12 V respektive 4 V in negativer Flussrichtung stellt Infineon seine Technologieführerschaft bei TVS- und ESD-Schutzdioden erneut unter Beweis.

Alle Varianten der kleinsten TVS-Dioden der Welt sind sofort lieferbar. Das TSSLP-2-1-Gehäuse entspricht der RoHS (restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment) Direktive.

Weitere Informationen unter www.infineon.com/esdprotection oder www.infineon.com/tvsdiodes.

Ein Podcast ist unter www.infineon.com/podcast verfügbar.

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 43.000 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen (davon etwa 13.500 bei Qimonda) erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2007 (Ende September) einen Umsatz von 7,7 Milliarden Euro (davon 3,6 Milliarden Euro von Qimonda). Das Unternehmen ist in Frankfurt und New York unter dem Symbol „IFX“ notiert.