International Rectifier lizensiert DirectFET Gehäusetechnologie an Infineon

Neubiberg und El Segundo, Kalifornien, USA – 26. September 2007 – Infineon Technologies (FSE/NYSE: IFX) und International Rectifier (NYSE: IRF) gaben heute bekannt, dass Infineon die Gehäusetechnologie für Leistungshalbleiter DirectFET® von International Rectifier lizenziert hat.

Das Gehäuse DirectFET wurde für die Stromwandlung (AC-DC und DC-DC) in Computern und Notebooks sowie Telekommunikations- und Consumer-Elektronikgeräten entwickelt. Es ist das industrieweit erste Gehäuse für Leistungs-MOSFETs, das eine sehr effiziente Kühlung von der Oberseite zulässt und in SMD-Bauweise in der Größe eines SO-8-Gehäuses sowie in einem kleineren Gehäuseformat verfügbar ist. Im Vergleich zu den Standardausführungen mit diskreten Kunststoffgehäusen ermöglicht die Metallhülle eine beidseitige Kühlung, wodurch sich die Stromtragfähigkeit von DC-DC- Stromversorgungen verdoppeln lässt.

Infineon wird das DirectFET-Gehäuse bei seinen Leistungshalbleiter-Familien OptiMOS® 2 und OptiMOS 3 einsetzen. Erste Muster von OptiMOS 2-Bausteinen im DirectFET-Gehäuse wird es Anfang 2008 geben.

Tim Phillips, Vice President der Geschäftseinheit Enterprise Power von International Rectifier, sagte: „Durch die beidseitige Kühlung kann unser DirectFET-Gehäuse die Energieverluste und die Baugröße der Stromversorgung in modernen Computer-, Consumer- und Kommunikationsgeräten verringern. Wir arbeiten kontinuierlich an Produkten, die Energie sparen helfen. Durch Lizenzvereinbarungen können wir die Energiesparwirkung von Innovationen wie DirectFET noch steigern und unsere Präsenz im größten Segment des Marktes für Power-Management-Lösungen stärken.“

„Mit dieser Vereinbarung baut Infineon sein Portfolio an Leistungshalbleitern weiter aus. Indem wir unsere erfolgreichen OptiMOS-Bausteine in den unterschiedlichsten Gehäusevarianten anbieten, können Designer von Stromversorgungen für eine gegebene Anwendung energie- und kosteneffiziente Lösungen entwickeln“, sagte Arunjai Mittal, Senior Vice President und General Manager der Geschäftseinheit Power Management and Drives bei Infineon Technologies. „Durch die Kombination der exzellenten Eigenschaften unserer OptiMOS 2- und OptiMOS 3-Bausteine mit einem Gehäuse mit beidseitiger Kühlung wird Infineon seine Position im Markt für Stromwandlerlösungen weiter festigen.“

Über International Rectifier
International Rectifier (NYSE:IRF) ist ein weltweit führender Anbieter im Bereich Power-Management-Technologie. Das Unternehmen liefert analoge und Mixed-Signal-ICs, moderne elektronische Bauelemente sowie integrierte Stromversorgungssysteme und -Komponenten, die leistungsfähige Computeranwendungen ermöglichen und die Energieeffizienz von Elektromotoren - den größten Stromverbrauchern der Welt - erhöhen. Führende Hersteller von Computern, energieeffizienten Geräten, Lichtsystemen, Kraftfahrzeugen, Satelliten, Flugzeugen und Verteidigungssystemen setzen auf die Power-Management-Lösungen von International Rectifier. Weitere Informationen unter www.irf.com. 

Hinweis zu Markenrechten
DirectFET® und IR® sind eingetragene Marken der International Rectifier Corporation. OptiMOS® ist eine eingetragene Marke der Infineon Technologies AG.

Pressekontakt bei International Rectifier
Graham Robertson
Telefon: +1 (310) 726-8512
Email: grobert1@irf.com

Die Infineon Technologies AG, Neubiberg, bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 42.000 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen (davon etwa 12.000 bei Qimonda) erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2006 (Ende September) einen Umsatz von 7,9 Milliarden Euro (davon 3,8 Milliarden Euro von Qimonda). Das Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert.
Weitere Informationen unter www.infineon.com.