Neue Leistungsmodule von Infineon für erweiterten Temperaturbereich bis 150°C bieten um 60 Prozent geringere Streuinduktivitäten

30.05.2006 | Market News

München und Nürnberg – 30. Mai 2006 – Auf der Kongressmesse PCIM 2006 in Nürnberg hat die Infineon Technologies AG eine neue Familie von kompakten IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)-Modulen vorgestellt. Diese ermöglichen optimierte Systemlösungen für vielfältige industrielle Antriebe und solche für Windkraftanlagen, Aufzüge oder für Hilfsantriebe, Stromversorgungs-Boardnetze und Heizungssysteme in Bahnen und Zügen. Mit den neuen PrimePACK™-Modulen setzt Infineon ein innovatives Gehäusekonzept um, das die Vorteile der neuen IGBT4-Chipgeneration nutzt. Das spezielle Modul-Design, bei dem die IGBT-Chips z. B. näher an den Anschraubpunkten der Bodenplatte liegen, lässt u. a. die interne Streuinduktivität um etwa 60 Prozent gegenüber vergleichbaren Modulen sinken. Durch die besondere Anordnung der Chips, ist die Wärmeverteilung deutlich verbessert.
 
Die maximale Betriebstemperatur der PrimePACK-Module beträgt +150°C (bisher 125°C). Die untere Grenze der Lagertemperatur konnte Infineon von -40°C auf -55°C senken. Mit den leistungsfähigen Produktmerkmalen bieten die neuen IGBT-Module für Umrichter-Applikationen bei gleicher Sperrspannung und gleicher Bauform einen um ca. 20 Prozent höheren Nennstrom, oder die gleiche Gesamtverlustleistung in einem vergleichsweise kleineren Modul. 
 
Die PrimePACK-Module sind in zwei Gehäusegrößen mit entsprechendem mechanischen Design in den Abmessungen 89 mm x 172 mm (PrimePACK2) und 89 mm x 250 mm (PrimePACK3) jeweils in den Spannungsklassen 1200 V und 1700 V verfügbar. Durch die echte Halbbrückenkonfiguration und das modulare Design der PrimePACK-Module lässt sich die Leistung von Umrichtern einfach durch Einsatz der verschiedenen Gehäusegrößen oder durch Parallelschaltung der Module in der jeweiligen Bauform skalieren. Beide Modulgrößen sind jeweils um bis zu 45 Prozent leichter als vergleichbare Module gleicher Leistung. Damit vereinfachen sich Aufbau und Montage von Umrichtern.
 
„Mit Einführung der PrimePACK-Module setzt Infineon wieder einmal einen Gehäusestandard, der sich eng an Kundenbedürfnissen orientiert“, sagte Martin Hierholzer, Leiter Industrial Power bei Infineon. „Das innovative und für die Systemintegration optimierte Gehäusekonzept sowie die neue leistungsfähige IGBT4-Chipgeneration mit TrenchStop®-/Field Stop-Technologie prädestinieren die neue Modul-Familie für effizientere und robustere Industrieantriebe verschiedenster Art.“
 
Der Markt für industrielle Antriebe weist großes Wachstumspotenzial auf. Laut IMS Research soll sich der weltweite Markt für industrielle Antriebe von 8,5 Milliarden US-Dollar in 2005 auf 9,4 Milliarden US-Dollar in 2008 erhöhen. Das entspricht einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 6 Prozent. Mit dem Einsatz moderner Leistungshalbleiter in Antrieben lässt sich viel Energie einsparen: bei elektronischer Drehzahlregelung durchschnittlich 40 Prozent je Motor. Laut dem Zentralverband Elektrotechnik- und Elektronikindustrie e.V. (ZVEI) wird heute in Deutschland nur rund 12 Prozent der installierten Motorleistung mit elektronischer Antriebssteuerung betrieben. Aus energetischen Gesichtspunkten wäre dies jedoch bei rund 50 Prozent der Antriebe sinnvoll.
 
Mit PrimePACK erweitert Infineon sein umfassendes Portfolio an Leistungsmodulen um kompakte 1200-V- und 1700-V-Komponenten, die im Leistungsbereich zwischen der 62-mm-Produktfamilie bis zu 200kW und dem Leistungsbereich der bewährten IHM-Module über 300 kW angesiedelt sind. Der spezifizierte Lagertemperaturbereich von bis zu -55 °C ermöglicht den Einsatz auch in sehr rauen Umgebungen. Die Module werden in Warstein, die IGBT- und Dioden-Chips im österreichischen Villach gefertigt.
 
Verfügbarkeit
 
Muster der PrimePACK-Module mit 1200 V und 1700 V sind verfügbar. Die Serienfertigung soll im 1. Quartal 2007 beginnen. Die Module sind RoHS-konform und erfüllen die Brandschutzvorgaben gemäß NFF16-101 und 16-102.
 
Über IGBT4
 
Im Rahmen der neuen IGBT4-Chipgeneration bietet Infineon erstmals 1200-V-Komponenten, die mit einer maximalen Betriebstemperatur von 150 °C und einer Höchst-Sperrschichttemperatur von 175 °C arbeiten. Die IGBT4-Chips bieten neben dem verbesserten thermischen Verhalten geringe Durchlassverluste und eine hohe elektrische Robustheit.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Automobil-, Industrieelektronik und Multimarket, für Anwendungen in der Kommunikation sowie Speicherprodukte über ihr Tochterunternehmen Qimonda. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten über Landesgesellschaften in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 36.400 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2005 (Ende September) einen Umsatz von 6,76 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com. Weitere Informationen zu Qimonda unter www.qimonda.com

Informationsnummer

INFAIM200605.063

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  • Infineon Introduces Power Modules Optimized for Industrial Applications, Innovative Design and New Chip Technology Provide 60-Percent Reduction in Stray Inductance and Operating Temperature Extended to +150°C<br><br>Neue Leistungsmodule von Infineon für erweiterten Temperaturbereich bis 150°C bieten um 60 Prozent geringere Streuinduktivitäten
    Infineon Introduces Power Modules Optimized for Industrial Applications, Innovative Design and New Chip Technology Provide 60-Percent Reduction in Stray Inductance and Operating Temperature Extended to +150°C

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