Infineon präsentiert innovative Speicherschaltungen auf der ISSCC 2006

München und San Francisco, Kalifornien, USA – 6. Februar 2006 – Auf der heute in San Francisco beginnenden ISSCC 2006 (IEEE International Solid-State Circuits Conference) präsentiert Infineon in technischen Vorträgen innovative CMOS-basierte Speicher-Lösungen für Computer- und Grafik-Anwendungen. Die Beiträge befassen sich mit ICs, die bereits eingeführt bzw. in Kürze verfügbar sind und unterstreichen Infineons Kompetenz in fortschrittlichstem Chip-Design. Darüber hinaus ist Infineon in einem Forum vertreten, das sich mit den Anforderungen und verschiedenen Anwendungen schneller Schnittstellen in Chip-to-Chip-Applikationen befasst.

In einem Vortrag zum Thema Grafik-DRAM referieren Forscher von Infineon über Methoden zur Steigerung der Leistungsfähigkeit von marktgängigen Chips für Multimedia-Applikationen. Der zweite Beitrag beschreibt einen AMB (Advanced Memory Buffer), der zusammen mit Standard-DRAMs zu hochkomplexen und schnellen Speichermodulen für Computer und Server kombiniert werden kann. In einem weiteren Vortrag wird eine schnelle Transceiver-Architektur vorgestellt, die ein neues Taktverteilungs-Schema implementiert, um AMB-basierte Speichermodule zu unterstützen.

Fortschrittliche Grafikspeicher

Multimedia-Applikationen in Desktop- und tragbaren Computern erfordern immer leistungsfähigere Speicher-Chips auf den Grafikkarten. In Session 8.2 (7. Februar) werden Infineon-Forscher unter dem Titel „A 2GB/s/Pin 512Mb Graphics DRAM with Noise-Reduction Techniques” einen innovativen Grafikspeicher vorstellen. In dem Vortrag wird über ein 512-Mbit-DRAM (8 Speicherbänke), das mit bis zu 2 Gbit/s arbeitet, berichtet. Die hohe Datenrate wird durch modernste Techniken zur Rauschunterdrückung erreicht, die sowohl das I/O-Verhalten als auch die interne Signalübertragung verbessern. Das GDRAM erreicht gegenüber bisher veröffentlichten Schaltungen eine um 25 Prozent höhere Geschwindigkeit, während weiterhin eine konventionelle, nicht differenzielle Speicher-Schnittstelle und herkömmliche DRAM Prozesstechnologie genutzt wird.

Neue Technologie für schnelle Speichermodule

Computer-Server, die die höchste Speicherkomplexität und -geschwindigkeit erfordern, stellen einen wichtigen und innovativen Markt für die DRAM-Industrie dar. Speziell für dieses Segment wurden Fully Buffered DIMMs (FB-DIMMs) entwickelt. Diese Speichermodule umfassen bis zu 36 DRAM-Chips und kommunizieren mit einem Host-Prozessor über einen AMB (Advanced Memory Buffer). Die Schnittstelle der DRAM-Chips auf dem Modul zum AMB nutzt Standard-DDR-Methoden. Der AMB wiederum sendet und empfängt Daten vom Host-Prozessor oder einem benachbarten FB-DIMM per differenzieller Punkt-zu-Punkt-Signalübertragung.

In Session 18.6 (7. Februar) mit dem Titel „Data Recovery and Retiming for 4.8Gb/s Fully Buffered DIMM Serial Links” beschreiben Infineon-Forscher diese serielle Verbindung mit Datenrückgewinnung und Details der Retiming-Implementierung für einen CMOS-AMB, der über 24 serielle Links, einen Core-Prozessor und ein DDR-Interface verfügt. Da der AMB DDR2-Datenraten von 800 Mbit/s unterstützt, können die Links mit bis zu 4,8 Gbit/s arbeiten. Das beschriebene AMB-Design erreicht eine experimentelle Eingangsempfindlichkeit von 50 mV _pp bei einer Bitfehlerrate (BER) von 10 ^-12. Damit wird die geforderte Spezifikation von 170 mV _pp bei einer BER von 10 ^-12 deutlich übertroffen.

In Session 4.5 (6. Februar) geben Infineon-Mitarbeiter unter dem Titel „A 100mW 9.6Gb/s Transceiver in 90nm CMOS for Next Generation Memory Interfaces“ einen Einblick in neue Interface-Architekturen für die nächste Generation AMB-basierter Speichermodule. Der präsentierte Transceiver gewährleistet durch seine innovative Takt-Architektur die leistungseffiziente Taktverteilung an jeden einzelnen Daten-Empfänger in einem FB-DIMM.

Mehr Hintergrund-Informationen zur neuen FB-DIMM-Technologie gibt Infineon in einer Präsentation mit dem Titel „“The Evolution of High-Speed Interfaces into Memory Applications“ (Session F5, High Speed Interconnect) am 9. Februar im Circuit Design Forum.

Weitere Informationen zum Speicherprodukt-Portfolio von Infineon sind verfügbar unter: www.Infineon.com/memory.