Infineon kündigt fortschrittlichen 90-nm-Read-Channel-Core an: Gemeinsam mit Hitachi GST entwickelter Core ist prädestiniert für nächste Generation von Festplatten-Laufwerken

28.11.2005 | Market News

München und San Jose, Kalifornien – 28. November 2005 – Die Infineon Technologies AG hat heute die Verfügbarkeit eines neuen leistungsfähigen Read-Channel-Cores für Festplatten-Laufwerke (HDDs) angekündigt. Der Chip ist das erste Produkt, das mit dem 90-nm-Prozess von Infineon gefertigt wird. Entwickelt in Kooperation mit Hitachi Global Storage Technologies (Hitachi GST), stellt der Core einen Meilenstein bei der Entwicklung hoch integrierter Controller-Chips für künftige HDD-Generationen dar.
 
„Mit seinem ersten 90-nm-Read-Channel-Produkt ist Infineon für die Bereitstellung der nächsten IC-Generation für den wachsenden HDD-Markt bestens positioniert“, sagte Peter Bauer, Mitglied des Vorstands und Leiter des Geschäftsbereiches Automobil-, Industrieelektronik und Multimarket von Infineon. „Unser Engagement und unsere lange Präsenz in diesem Markt stützen sich auf ein breites IP-Portfolio, das nahezu alle Schnittstellen abdeckt, auf eine moderne SoC-Design-Methodik und auf neue Technologien, die für die HDD-Industrie immer wichtiger werden - wie etwa nichtflüchtige Speicher oder Lösungen für Sicherheits-Chipkarten.“
 
„Die Migration des Read-Channel-Cores auf 90 nm ermöglicht es der HDD-Industrie, den Anforderungen der nächsten Produktgeneration für höhere Datenraten, weniger Leistungsaufnahme und kleineren Chip-Abmessungen bei wettbewerbsfähigen Kosten zu entsprechen. Tests des ersten Read-Channel-Chips zeigten, dass dieser eine PLL mit bis zu 3,6 GHz erreichen kann und Datenraten im AFE(Analog Front-End)-Signalpfad von bis zu 2,7 Gbit/s erlaubt. Diese Werte sind um etwa 50 Prozent besser als bei Read-Channel-Controllern in 130-nm-Technologien“, sagte Sandro Cerato, General Manager und Vice President ASIC-Design Solutions von Infineon.
 
Der HDD-Markt wird nach Marktanalysen von Gartner Dataquest aus dem August 2005 von 3,3 Milliarden US Dollar in diesem Jahr auf 4,5 Milliarden US-Dollar im Jahr 2009 um über 30 Prozent wachsen. Das Wachstum wird im Wesentlichen durch mobile und Desktop-Computer getrieben.
„Die Entwicklung dieser neuen Read-Channel-Technologie demonstriert eindrucksvoll die Stärken und Expertisen von Hitachi und Infineon“, sagte Steven Smith, Senior Director und General Manager von Rochester MN, Hitachi GST. „Infineon unterstreicht hierbei seine führende Position bei der Siliziumentwicklung und -integration. Wir sind äußerst zufrieden mit der Leistungsfähigkeit unserer ersten 90-nm-Read-Channel-Implementierung.“
 
Die neue Read-Channel-Technologie unterstützt fortschrittliche Funktionen wie die senkrechte Aufzeichnung (Perpendicular Recording) und Reverse Concatenation Codierung für ein ausgezeichnetes Signal-Rausch-Verhalten bei signifikant höheren Speicherdichten. Die 90-nm-Read-Channel-Technologie basiert auf einer Standard-Architektur und deckt alle HDD-Segmente (Unternehmensbereich, Desktop, mobile Computer oder besonders Strom sparende Applikationen) ab. Den Anforderungen der verschiedenen HDD-Plattformen wird durch Anpassung des Designs an die spezifischen Parameter der jeweiligen Marktsegmente entsprochen.
 
Eine zweite Implementierung, die speziell auf batteriebetriebene Applikationen mit äußerst geringer Leistungsaufnahme zielt, wird derzeit entwickelt. Diese Lösung bietet durch den 90-nm-Prozess von Infineon, der insbesondere für Handheld-Applikationen wie Mobiltelefone ausgelegt ist, auch besonderes geringe Standby- und Leckströme.
 
Der neue Read-Write-Channel wurde mit der 90-nm-CMOS-Technologie von Infineon implementiert, die hohe Geschwindigkeit, geringe Leistungsaufnahme und analoge Schaltungen für vielfältige Applikationen in einem Silizium vereint. Die Technologie und das innovative Design erlauben eine produktspezifische und kosteneffektive Optimierung für Mixed-Signal- und digitale Signalverarbeitung auf einem Chip. Damit kann unterschiedlichsten Anforderungen - vom Server bis hin zu besonders Strom sparender mobiler Konsumelektronik - entsprochen werden. Zu den wesentlichen Merkmalen der neuen Technologie gehört die Integration unterschiedlicher Schwellenspannungen mit Schaltelementen mit mehreren Gate-Oxid-Schichten, die physikalische Strukturen von nur 70 nm erreichen. Fortschrittliche Design-Konzepte wie „active Wells“, Clock-Gating oder Mikro-Schalter sorgen auf den Chips mit 6 bis 9 Lagen Kupfer-Metallisierung für eine geringe Leistungsaufnahme.
 
Der von der ASIC-Design-Gruppe von Infineon entwickelte neue HDD-Controller kann weltweit auf verschiedenen 90-nm-Fertigungsanlagen, etwa im Dresdener Werk von Infineon und bei UMC in Taiwan, produziert werden. Damit erhalten HDD-Hersteller ein hohes Maß and Liefersicherheit und -flexibilität.
 
Über Hitachi Global Storage Technologies
 
Hitachi GST wurde 2003 als strategische Kooperation der Speichertechnologiebereiche von Hitachi und IBM gegründet. Hitachi GST bietet seiner weltweiten Kundenbasis ein umfassendes Portfolio an Speicherprodukten für Desktop-Computer, leistungsfähige Server und mobile Geräte. Die Firma entwickelt ihre Technologien ständig weiter, um die Funktionalität und die Leistungsfähigkeit von Festplatten-Laufwerken zu erhöhen.

Über Infineon

Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Automobil-, Industrieelektronik und Multimarket, für Anwendungen in der Kommunikation sowie Speicherprodukte. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten über Landesgesellschaften in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 36.400 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2005 (Ende September) einen Umsatz von 6,76 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com.

Informationsnummer

IFXAIM200511-021