Infineon erweitert Kooperation mit Auftragshersteller Winbond
München und Hsinchu/Taiwan, 6. August 2004 Infineon Technologies AG und Winbond Electronics Corp., Hsinchu, Taiwan, erweitern ihre Zusammenarbeit bei der Fertigung von Standard-Speicherchips (DRAMs) und haben heute einen entsprechenden Vertrag unterzeichnet. Im Rahmen dieser Zusatzvereinbarung wird Infineon seine 0,09-µm DRAM Trench-Technologie und sein 300-mm-Fertigungs Know how zu Winbond transferieren. Im Gegenzug übernimmt Winbond die exklusive Fertigung von DRAMs für Computeranwendungen für Infineon, die mit dieser Technologie hergestellt werden. Der Transfer dieser Technologien von Infineon ermöglicht Winbond die Entwicklung und Vermarktung entsprechender proprietärer Spezialspeicherbausteine, für die Infineon Lizenzgebühren erhält. Darüber hinaus ist geplant, dass Infineon und Winbond gemeinsam Spezialspeicherbausteine für den Einsatz in mobilen Applikationen entwickeln.
Mit diesem Schritt kann Infineon auf die 200-mm- und 300-mm-Fertigungsstätten von Winbond zurückgreifen, um seine Kapazität von Winbond erheblich aufzustocken. Bereits im Mai 2002 vereinbarten die beiden Unternehmen, dass Winbond exklusiv für Infineon Speicherchips für Computeranwendungen in seinem 200-mm-Werk in Hsinchu auf Basis der 0,11-µm DRAM-Trench-Technologie von Infineon fertigt. Erste Produkte des neuen 300-mm-Werks, das in Taichung, Taiwan, gebaut wird, werden für Ende 2005 erwartet.
Spezial-Speicherchips unterstützen besonders anspruchsvolle Anwendungen wie Graphics RAM (128, 256 MBit) und mobile Anwendungen wie PDAs, Handys und Smartphones.
Durch die Erweiterung unserer Zusammenarbeit mit Winbond setzen wir unser Vorhaben konsequent um, die Geschäftsbeziehungen mit unseren Partnern in Asien weiter zu festigen. Zudem können wir unser DRAM-Geschäft und unser Produktportfolio ausbauen, erklärte Thomas Seifert, Leiter des Geschäftsbereichs Speicherprodukte der Infineon Technologies AG. Gleichzeitig verstärken wir unsere regionale Präsenz mit dem Ziel, eine führende Marktposition im asiatisch-pazifischen Raum zu übernehmen.
Unsere bisherige erfolgreiche Zusammenarbeit mit Infineon bei der 0,11-µm Fertigungs-Technologie legte den Grundstein für die Erweiterung unserer Partnerschaft, sagte C.C. Chang, President of Winbond Electronics Corp. Dieser Schritt wird die Kooperationen für den künftigen Austausch von Technologien zwischen den beiden Unternehmen unterstützen.
Die Zusammenarbeit festigt die Position von Infineon als drittgrößter Halbleiter-Hersteller im DRAM-Markt. Laut Prognosen des Marktforschungsunternehmens Gartner Dataquest wird der Halbleitermarkt in Asien von ca. 4,9 Milliarden US-Dollar im Jahr 2003 auf rund 9,4 Milliarden US-Dollar im Jahr 2008 wachsen.
Mit diesem Schritt kann Infineon auf die 200-mm- und 300-mm-Fertigungsstätten von Winbond zurückgreifen, um seine Kapazität von Winbond erheblich aufzustocken. Bereits im Mai 2002 vereinbarten die beiden Unternehmen, dass Winbond exklusiv für Infineon Speicherchips für Computeranwendungen in seinem 200-mm-Werk in Hsinchu auf Basis der 0,11-µm DRAM-Trench-Technologie von Infineon fertigt. Erste Produkte des neuen 300-mm-Werks, das in Taichung, Taiwan, gebaut wird, werden für Ende 2005 erwartet.
Spezial-Speicherchips unterstützen besonders anspruchsvolle Anwendungen wie Graphics RAM (128, 256 MBit) und mobile Anwendungen wie PDAs, Handys und Smartphones.
Durch die Erweiterung unserer Zusammenarbeit mit Winbond setzen wir unser Vorhaben konsequent um, die Geschäftsbeziehungen mit unseren Partnern in Asien weiter zu festigen. Zudem können wir unser DRAM-Geschäft und unser Produktportfolio ausbauen, erklärte Thomas Seifert, Leiter des Geschäftsbereichs Speicherprodukte der Infineon Technologies AG. Gleichzeitig verstärken wir unsere regionale Präsenz mit dem Ziel, eine führende Marktposition im asiatisch-pazifischen Raum zu übernehmen.
Unsere bisherige erfolgreiche Zusammenarbeit mit Infineon bei der 0,11-µm Fertigungs-Technologie legte den Grundstein für die Erweiterung unserer Partnerschaft, sagte C.C. Chang, President of Winbond Electronics Corp. Dieser Schritt wird die Kooperationen für den künftigen Austausch von Technologien zwischen den beiden Unternehmen unterstützen.
Die Zusammenarbeit festigt die Position von Infineon als drittgrößter Halbleiter-Hersteller im DRAM-Markt. Laut Prognosen des Marktforschungsunternehmens Gartner Dataquest wird der Halbleitermarkt in Asien von ca. 4,9 Milliarden US-Dollar im Jahr 2003 auf rund 9,4 Milliarden US-Dollar im Jahr 2008 wachsen.
Über Winbond
Winbond Electronics Corporation, mit Sitz im Science-Based Industrial Park in Hsinchu, Taiwan, wurde 1987 gegründet und ist größter IC-Markenhersteller in Taiwan. Das Unternehmen bietet ein breit gefächertes Produktportfolio von Mikrocontrollern basierten Konsumgütern, PC- und Peripherie-ICs, Netzzugangs-Produkten, Speicher ICs und mehr. In Taiwan und Ost-Asien ist Winbond marktführender Anbieter im Bereich PC-Peripherien, wie I/O-Controller und Mixed Signal ICs. Gegenwärtig beschäftigt Winbond weltweit in seinen drei Wafer-Produktionsstätten rund 4000 Mitarbeiter und besitzt die fortschrittlichste 0.11 Mikron DRAM Prozesstechnologie. Der Hauptsitz des Unternehmens befindet sich in Hsinchu (Taiwan); darüber hinaus verfügt Winbond über Filialen in den Vereinigten Staaten, Hongkong, China und Japan. Weitere Informationen über Winbond unter www.winbond.com.Über Infineon
Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für die Automobil- und Industrieelektronik, für Anwendungen in der drahtgebundenen Kommunikation, sichere mobile Lösungen sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 32.300 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2003 (Ende September) einen Umsatz von 6,15 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol IFX notiert. Weitere Informationen unter
www.infineon.com.
Informationsnummer
INFXX200408.088