Infineon startet Serienproduktion mit 0,11-µm-Technologie - Weltweit kleinster 256-Mbit-DRAM bringt Kostenvorteile von 30 Prozent

München – 29. April 2003 – Infineon hat die Serienproduktion von DRAMs mit der fortschrittlichen 0,11-µm-Technologie gestartet. Muster von hochintegrierten 256-Mbit-DRAMs, die mit dem 0,11-µm-Prozess gefertigt werden, sind bereits erfolgreich von Intel validiert und auch an strategische Kunden ausgeliefert. Mit der neuen Technologie können Chips mit noch kleineren Strukturen gefertigt werden, wodurch sich die Chipfläche reduziert und die Produktionskosten pro Chip gegenüber der bisherigen Prozesstechnik um 30 Prozent sinken. Durch die deutlich kleineren Strukturen im Vergleich zum bisherigen 0,14-µm-DRAM-Prozess kann Infineon über 50 Prozent mehr Chips auf einem Wafer produzieren.

„Nach dem Erreichen des Cost-Cross-Over in der 300-mm-Technologie unterstreicht Infineon mit der Einführung des neuen 0,11-µm-Prozesses erneut seine Technologie- und auch Kostenführerschaft“, sagte Dr. Andreas von Zitzewitz, Mitglied des Vorstands und Chief Operation Officer von Infineon Technologies. „Unser 256-Mbit-DRAM auf Basis des neuen Prozesses ist der weltweit kleinste Speicherchip mit dieser Kapazität. Dies erreichen wir durch die weiter reduzierten Strukturen des 0,11-µm-Prozesses und durch unsere innovative Trench-Technik, die etwa um 10 Prozent kleinere Chipflächen als bei Wettbewerbstechnologien ermöglicht.“

Infineon entwickelte den neuen Prozess auf der 200-mm-Wafer-Fertigungslinie in Dresden und führt die Technologie nun in die Volumenproduktion von hochintegrierten und schnellen Speicherprodukten auf 200- und 300-mm-Wafern ein. Parallel zur Einführung der neuen Prozess-Technologie in Dresden wird diese auch in die anderen Produktionsstätten des Fertigungsverbundes von Infineon eingebracht: In Richmond (Virginia), bei Inotera Memories, dem Joint-Venture mit Nanya, und bei DRAM-Foundry-Partnern.

Infineon setzt als erster DRAM-Hersteller die zukunftsweisende 193-nm-Lithographietechnik für die Volumenfertigung auf Basis seines 0,11-µm-Prozesses ein. Da auch künftige Prozess-Generationen mit kleineren Strukturgrößen voraussichtlich diese Lithographietechnik nutzen werden, wird Infineon von der jetzt gewonnen Erfahrung profitieren können. Die ersten verfügbaren, in 0,11-µm-Technologie gefertigten Produkte sind 256-Mbit-DDR-Speicher für PCs und Server. Die kleineren Prozess-Strukturen bieten zudem besondere Vorteile für die Fertigung von sehr schnellen Speichern wie DDR2 oder Grafik-RAM. Die reduzierten Schaltungsstrukturen ermöglichen auch hohe Kapazitäten von bis zu 1 Gbit/Chip. Alle auf dem neuen Prozess gefertigten DRAMs sind in umweltfreundlicher Technologie mit blei- und halogenfreien Materialien ausgeführt.

In Kombination mit dem „Cost-Cross-Over“ bei der 300-mm-Technik festigt Infineon mit dieser weiteren Strukturverkleinerung seine führende Position in der Produktivität und Kosteneffizienz bei der DRAM-Fertigung.

„Wir haben als Pioniere mit der 300-mm-Technik weltweit einen neuen Standard für die Volumenfertigung erfolgreich etabliert und sind hier eindeutig der Trendsetter. Nun profitieren wir von unserer langfristigen Investition in diese neue Technologie“, ergänzte Dr. Andreas von Zitzewitz.

Nur ein Jahr nach dem Start der Volumenproduktion von Speicherchips auf Silizium-Wafern mit einem Durchmesser von 300 mm hat Infineon im Dezember 2002 den so genannten „Cost-Cross-Over“ erreicht: Auf den 300-mm-Wafern fertigt Infineon seitdem Speicherchips günstiger als auf 200-mm-Wafern und stellt damit abermals seine Spitzenposition in der Branche unter Beweis. Mit dem Vollausbau kann Infineon die vollen Produktivitätsvorteile nutzen und Kosteneinsparungen von bis zu 30 Prozent gegenüber der Herstellung von Chips auf 200-mm-Wafern erzielen.

Weitere Informationen zum DRAM-Produktportfolio von Infineon sind verfügbar unter: http://www.infineon.com/memory

Über Infineon

Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für die Automobil- und Industrieelektronik, für Anwendungen in der drahtgebundenen Kommunikation, sichere mobile Lösungen sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 30.400 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2002 (Ende September) einen Umsatz von 5,21 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com.