Hohe Energie-Effizienz durch schnelle IGBTs in neuartiger TrenchStop- und FieldStop-Technologie von Infineon Technologies

14.05.2002 | Market News

München / Nürnberg – 14. Mai 2002 – Infineon Technologies, ein führender Hersteller von Leistungshalbleitern, präsentierte anlässlich der Messe „PCIM Europe 2002“ eine neue Produktgeneration seiner IGBT- (Isolated Gate Bipolar Transistors) Familie. Die neuen IGBT-Produkte für den Spannungsbereich 1200 V kombinieren Trench- und FieldStop-Technologie. Im Gegensatz zu Standard-Non-Punch-Through- (NPT) IGBTs, reduzieren 1200V-IGBTs die Durchlassverluste um bis zu 40 Prozent bei gleichbleibend niedrigen Schaltverlusten. Optimiert für Schaltfrequenzen bis 10 kHz in „hart schaltenden“ bzw. bis 30 kHz in „resonanten“ Topologien eignen sie sich speziell für den Einsatz in industriellen Motorantrieben aller Art, in Frequenzumrichtern, Robotersteuerungen oder in unterbrechungsfreien Stromversorgungen.

Technische Details zur 1200V-IGBT-Familie


IGBT-Leistungsschalter verursachen sowohl Durchlassverluste als auch Schaltverluste. Bei Standard-Non-Punch-Through- (NPT) IGBTs lassen sich entweder nur die Durchlassverluste oder nur die Schaltverluste, jeweils zu Lasten des anderen Parameters, minimieren. Mit Infineons einzigartigen 1200V-IGBTs in TrenchStop-Technologie lassen sich jedoch die Durchlassverluste um bis zu 40 Prozent reduzieren (bei VCEsat typ.1,7 V; VGE = 15 V; IC = 15 A; Tj=25 °C) und dabei die Schaltverluste gleichbleibend niedrig halten. Während die FieldStop-Struktur innerhalb des Leistungshalbleiters für eine signifikante Reduzierung des beim schnellen Schalten auftretenden Tail-Stromes sorgt, begrenzt die TrenchStop-Zelle aufgrund der extrem niedrigen Sättigungsspannung die Durchlassverluste auf ein Minimum. Dadurch wird erheblich weniger Verlustwärme erzeugt und damit ein geringerer Kühlaufwand benötigt, was letztendlich zu einer Systemkostenreduzierung führt.

Zu den Vorteilen von Infineons neuer TrenchStop-Technologie-Familie zählen weiterhin die hohe Robustheit und Kurzschlussfestigkeit, die Steigerung der Zuverlässigkeit und die niedrige elektromagnetische Interferenz (EMI). Damit erlauben die 1200V-IGBTs die Entwicklung neuartiger Konzepte für einen kompakteren Systemaufbau von Elektroantrieben. Wie bei NPT-IGBTs ist der Temperaturkoeffizient der Durchlass-Spannung positiv und die Parallelschaltung mehrerer TrenchStop-IGBTs möglich.

Infineons neue Familie von 1200V-TrenchStop-IGBTs im fortschrittlichen TO-247-Gehäuse umfasst derzeit fünf Single-Versionen für Ausgangsströme von 8 A bis 55 A (Tc = 100 °C) bzw. 16 A bis 100 A (Tc = 25°C) sowie vier Versionen im DuoPack für Ausgangsströme von 8 A bis 40 A (Tc = 100°C) bzw. 16 A bis 80 A (Tc = 25 °C). Das Duo-Pack, das die anti-parallele Emitter Controlled Diode mit einem TrenchStop-IGBT-Baustein beinhaltet, ermöglicht besonders kostengünstige Lösungen in Anwendungen, die eine Reversdiode benötigen. Infineon beabsichtigt, noch im Jahr 2003 eine weitere 600V-Version der TrenchStop-IGBTs vorzustellen.

Verfügbarkeit und Preise


Alle Versionen der 1200V-TrenchStop-IGBTs sind in Volumenzahlen verfügbar. Für 15A-Single-Versionen im TO-247-Gehäuse beträgt der Preis bei Stückzahlen von ein Tausend unter 2,50 Euro, für 15A-DuoPack-Versionen im TO-247-Gehäuse unter 3,00 Euro pro Stück.

Infineon bietet als Technologieführer damit ein umfassendes Produkt-Portfolio an Leistungshalbleitern für Stromversorgungssysteme, die von Standard-IGBTs über Fast- und HighSpeed-IGBTs in NPT-Technologie für 600V und 1200V bis hin zu den neuen TrenchStop-IGBTS reicht. Es stehen jeweils mehrere Gehäusevarianten zur Verfügung.

Infineon Technologies präsentiert die neuen Leistungshalbleiter auf der Messe „PCIM 2002“ (14.-16. Mai 2002, Nürnberg) in Halle 12 auf Stand 103.

Weitere Informationen zum IGBT-Angebot von Infineon unter www.infineon.com/igbt.

Über Infineon


Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Anwendungen in der drahtgebundenen und mobilen Kommunikation, für Sicherheitssysteme und Chipkarten, für die Automobil- und Industrieelektronik, sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 33.800 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2001 (Ende September) einen Umsatz von 5,67 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert.

Informationsnummer

INFAI200205.085e

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  • Infineon Technologies Introduces Innovative TrenchStop and FieldStop Technology in New Generation of Fast IGBTs; Enables Energy Efficiency
    Infineon Technologies Introduces Innovative TrenchStop and FieldStop Technology in New Generation of Fast IGBTs; Enables Energy Efficiency
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