Infineon Technologies führt neuen leistungsfähigen Speichertyp speziell für schnelle Netzwerk- und Cache-Applikationen ein
München, 11. April 2001 Infineon Technologies stellte heute eine neue DRAM-Produktlinie vor, die speziell für den Wachstumsmarkt der Netzwerk-Applikationen ausgelegt ist. Das RLDRAM (Reduced Latency DRAM) erfüllt alle wichtigen Kriterien in Netzwerk- und Cache-Applikationen, wie hohe Speicherkapazität, hohe Bandbreite und schnellen SRAM-ähnlichen, wahlfreien Speicherzugriff.
Das RLDRAM stellt ein schnelles SDRAM mit einer Taktfrequenz von 300 MHz und einem DDR-Interface (Double Data Rate) dar. Das erste verfügbare Produkt ist ein 256-Mbit-Baustein mit 8M x 32 und 16M x 16-Organisation. Das RLDRAM bietet 8 interne Speicherbänke. Erfolgt der Zugriff auf diese Speicherbänke sequentiell, wird eine Datenbandbreite von 19,2 Gbit/s erreicht, wobei der wahlfreie Speicherzugriff erhalten bleibt.
Das RLDRAM basiert auf einer neuen internen Speicherarchitektur, die den sehr schnellen wahlfreien Zugriff erlaubt, mit Zykluszeiten von nur 25 Nanosekunden (ns). Standard-DRAMs haben Vergleichs-Zykluszeiten von etwa 50 ns. Das RLDRAM ist somit die ideale Lösung für Netzwerk- und Cache-Applikationen. Es schließt die Lücke zwischen SRAM und DRAM.
Die Architektur des RLDRAM wurde dahingehend optimiert, eine möglichst kurze Zugriffszeit zu ermöglichen und somit die Latenzzeit, sprich: die Zeit vom Beginn des Zugriffszyklus bis zur Verfügbarkeit der Daten zu reduzieren. Diese Zugriffszeit ist besonders wichtig in allen Applikationen, in denen die nachfolgenden Aktionen vom frühzeitigen Abschluß eines Speicherzugriffs abhängen. Typische Beispiele dafür sind Netzwerk-Anwendungen, bei denen Controller in Routern oder Switches möglichst schnell Routing-Informationen lesen oder Datenpakete zusammenstellen müssen. Auch in Cache-Applikationen ist eine schnelle Reaktionszeit bestimmend für den gesamten Zeitbedarf des Speicher-Subsystems. Für die genannten Applikationen steht somit eine leistungsfähige Alternative zu den teureren SRAM-Speichern zur Verfügung.
Das T-FBGA 144(Thin Profile Ball Grid Array)-Gehäuse erlaubt es den Systementwicklern auf das zeitraubende Adress-Multiplexing zu verzichten, das bei DRAM-Produkten in TSOPs üblich ist. Außerdem bietet das Gehäuse verringerte parasitäre Effekte bei höheren Frequenzen sowie einen geringen thermischen Widerstand für eine verbesserte Wärmeabfuhr.
Während Standard-SDRAMs mit 3,3 Volt arbeiten, arbeitet das RLDRAM mit 1,8 Volt bis 2,5 Volt für das Speicher-Array und mit 1,8 Volt für den I/O-Bereich. Durch die Reduzierung der Betriebsspannung wird ein Datentransfer auf dem Board mit bis zu 300 MHz (600 Mbit/s) möglich, was einer Baustein-Bandbreite von 2,4 GByte (x 32 bit Organisation) bzw. 1, 2 GByte (x 16 bit) entspricht.
Das RLDRAM ist eine neue Produktlinie auf Basis einer innovativen Chip- und Datenprotokoll-Architektur, die die Grenzen für DRAM-Bandbreiten bei wahlfreiem Zugriff neu definiert, sagte Ernst Strasser, Director Product Marketing für Graphics und Specialty Memories der Memory Business Group von Infineon. Das RLDRAM demonstriert die Umsetzung der Expertise von Infineon im Chip-Design und bei der Chip-Fertigung in neue Produkte für den Wachstumsmarkt der Netzwerk-Technologie.
Erste Muster des 256-Mbit-RLDRAM in den Organisationen 8M x 32 und 16Mx 16 werden ab dem 3. Quartal 2001 verfügbar sein. Die Volumen-Produktion ist für Anfang 2002 geplant.
Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Anwendungen in der drahtgebundenen und mobilen Kommunikation, für Sicherheitssysteme und Chipkarten, für die Automobil- und Industrieelektronik, sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 29.000 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2000 (Ende September) einen Umsatz von 7,28 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol IFX notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com
Das RLDRAM stellt ein schnelles SDRAM mit einer Taktfrequenz von 300 MHz und einem DDR-Interface (Double Data Rate) dar. Das erste verfügbare Produkt ist ein 256-Mbit-Baustein mit 8M x 32 und 16M x 16-Organisation. Das RLDRAM bietet 8 interne Speicherbänke. Erfolgt der Zugriff auf diese Speicherbänke sequentiell, wird eine Datenbandbreite von 19,2 Gbit/s erreicht, wobei der wahlfreie Speicherzugriff erhalten bleibt.
Das RLDRAM basiert auf einer neuen internen Speicherarchitektur, die den sehr schnellen wahlfreien Zugriff erlaubt, mit Zykluszeiten von nur 25 Nanosekunden (ns). Standard-DRAMs haben Vergleichs-Zykluszeiten von etwa 50 ns. Das RLDRAM ist somit die ideale Lösung für Netzwerk- und Cache-Applikationen. Es schließt die Lücke zwischen SRAM und DRAM.
Die Architektur des RLDRAM wurde dahingehend optimiert, eine möglichst kurze Zugriffszeit zu ermöglichen und somit die Latenzzeit, sprich: die Zeit vom Beginn des Zugriffszyklus bis zur Verfügbarkeit der Daten zu reduzieren. Diese Zugriffszeit ist besonders wichtig in allen Applikationen, in denen die nachfolgenden Aktionen vom frühzeitigen Abschluß eines Speicherzugriffs abhängen. Typische Beispiele dafür sind Netzwerk-Anwendungen, bei denen Controller in Routern oder Switches möglichst schnell Routing-Informationen lesen oder Datenpakete zusammenstellen müssen. Auch in Cache-Applikationen ist eine schnelle Reaktionszeit bestimmend für den gesamten Zeitbedarf des Speicher-Subsystems. Für die genannten Applikationen steht somit eine leistungsfähige Alternative zu den teureren SRAM-Speichern zur Verfügung.
Das T-FBGA 144(Thin Profile Ball Grid Array)-Gehäuse erlaubt es den Systementwicklern auf das zeitraubende Adress-Multiplexing zu verzichten, das bei DRAM-Produkten in TSOPs üblich ist. Außerdem bietet das Gehäuse verringerte parasitäre Effekte bei höheren Frequenzen sowie einen geringen thermischen Widerstand für eine verbesserte Wärmeabfuhr.
Während Standard-SDRAMs mit 3,3 Volt arbeiten, arbeitet das RLDRAM mit 1,8 Volt bis 2,5 Volt für das Speicher-Array und mit 1,8 Volt für den I/O-Bereich. Durch die Reduzierung der Betriebsspannung wird ein Datentransfer auf dem Board mit bis zu 300 MHz (600 Mbit/s) möglich, was einer Baustein-Bandbreite von 2,4 GByte (x 32 bit Organisation) bzw. 1, 2 GByte (x 16 bit) entspricht.
Das RLDRAM ist eine neue Produktlinie auf Basis einer innovativen Chip- und Datenprotokoll-Architektur, die die Grenzen für DRAM-Bandbreiten bei wahlfreiem Zugriff neu definiert, sagte Ernst Strasser, Director Product Marketing für Graphics und Specialty Memories der Memory Business Group von Infineon. Das RLDRAM demonstriert die Umsetzung der Expertise von Infineon im Chip-Design und bei der Chip-Fertigung in neue Produkte für den Wachstumsmarkt der Netzwerk-Technologie.
Verfügbarkeit
Erste Muster des 256-Mbit-RLDRAM in den Organisationen 8M x 32 und 16Mx 16 werden ab dem 3. Quartal 2001 verfügbar sein. Die Volumen-Produktion ist für Anfang 2002 geplant.
Über Infineon
Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Anwendungen in der drahtgebundenen und mobilen Kommunikation, für Sicherheitssysteme und Chipkarten, für die Automobil- und Industrieelektronik, sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 29.000 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2000 (Ende September) einen Umsatz von 7,28 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol IFX notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com
Informationsnummer
INFMP200104.071e
Pressefotos
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Infineon Technologies Introduces New Type of High Performance Memory, Specifically Designed for Networking and High-Speed Cache ApplicationsPress PictureJPG | 1020 kb | 1063 x 1535 px
