Infineon Technologies bemustert neuen 128-Mbit Low-Power DRAM - Mobile-RAM ist kompatibel zum neuen JEDEC Low Power SDRAM Standard - Zielanwendungen im mobilen Endgeräte-Markt

München, 25. Juli 2001 – Infineon Technologies, einer der weltweit führenden Halbleiterhersteller, kündigte heute für seine neue Mobile-RAM-Produktlinie die Verfügbarkeit erster Muster mit einer Speicherkapazität von 128 Mbit an. Mobile-RAMs sind synchrone DRAMs (SDRAMs) mit besonders geringer Stromaufnahme. Die Produkte sind im 54-poligen Fine-Pitch Ball-Grid-Array- (FBGA) Gehäuse verfügbar, das dem neuen „Joint Electron Device Engineering Council“- (JEDEC) Standard für Low-Power DRAMs entspricht. Mobile-RAMs wurden für den Einsatz in batteriebetriebenen, tragbaren Anwendungen entwickelt.

Im Vergleich zum Thin-Small-Outline-Package- (TSOP) Gehäuse von Standard-SDRAMs spart das 8 mm x 9 mm große FBGA-Gehäuse zwei Drittel der Fläche auf der Leiterplatte ein. Je nach Betriebsbedingungen und Systemdesign kann sich die Leistungsaufnahme um bis zu 80 Prozent reduzieren. Erreicht wird dies durch die Reduktion der Betriebsspannung auf 2,5 V und der Ein-/Ausgangsspannung auf 1,8 V bzw. 2,5 V sowie einem speziellen Power-Management. Der neue JEDEC-Standard für Low-Power SDRAMs schließt diese Features wie auch das FBGA-Gehäuse ein.

„Mit dem Mobile-RAM folgen wir konsequent unserer Strategie, das DRAM-Produkt-spektrum von Infineon weiter zu diversifizieren“, sagte Axel Hahn, Senior Director Produkt-Marketing bei Infineons Geschäftsbereich Memory Products. „Wir sind stolz darauf, den fortschrittlichsten Speicher für mobile Anwendungen zu liefern. Das Mobile-RAM stellt einen Quantensprung dar im Bestreben, die Batterie-Lebensdauer zu maximieren und Größe, Gewicht und Gesamtsystemkosten der nächsten Generation von PDAs, Smart Phones und digitalen Fotoapparaten zu minimieren.“

Seit der Standardisierung des neuen Low-Power SDRAM durch JEDEC, an der Infineon maßgeblich beteiligt war, unterstützen industrieweit auch andere Hersteller von Chipsets und Betriebssystemen sowie Anbieter von IP (Intellectual Property) für das Design von ASICs / SoC (Application Specific Integrated Circuits / Systems on Chip) den neuen Standard, um die leistungssparenden Vorteile des Mobile-RAMs für ihre zukünftigen Produkte zu nutzen.

Dick Lawrence, Strategic Marketing Platform Architect der Wireless Communication & Computing Division von Intel bemerkte dazu: „Wir verlassen uns auf Industrie-Standards für Low-Power DRAMs wie Infineons Mobile-RAM, damit unsere Kunden stromsparende Produkte anbieten können. Aufgrund der JEDEC-Standardisierung werden die Kunden zwischen kompatiblen Produkten einer Vielzahl von Anbietern wählen können.“

Low-Power SDRAMs werden nach allgemeiner Einschätzung auf breiter Basis für eine Vielzahl von tragbaren, batteriegespeisten Anwendungen wie PDAs und Smart Phones eingesetzt werden. „Der weltweite Markt für PDAs und tragbare Systeme sieht weiterhin vielversprechend aus“, bestätigte Kevin Burden, Program Manager Smart Handheld Devices von International Data Corp. (IDC). „Die weltweiten Stückzahlen von PDAs und sonstigen tragbaren Systemen werden dieses Jahr nach unserer Einschätzung bei 19,6 Million liegen und jährlich um 39 Prozent anwachsen auf 70,8 Million Stück im Jahr 2005.“

Durch die zunehmende Popularität drahtloser Internet-Anwendungen wird eine starke Zunahme der Speicherkapazität in portablen Systemen erwartet. „Der drahtlose Internet-Zugriff hat eine fundamentale Änderung der Speicheranforderungen bei tragbaren Rechnersystemen zur Folge“, sagte Bert McComas von InQuest Market Research. „Wegen komplexerer Betriebssysteme werden diese mobilen Anwendungen mehr Speicherausstattung für den Zugriff auf PC-Daten, Nachrichten-Kanäle oder Streaming Media etc. benötigen. Kostengünstige Low-Power Speicherlösungen hoher Kapazität werden für diese neuen Plattformen elementar wichtig sein.“

Infineon bietet derzeit das 128 Mbit Mobile-RAM in der x8- und x16-Organisation an. Für das kommende Jahr ist die 256-Mbit-Version des Mobile-RAMs geplant, die für die gestiegenen Speicheranforderungen der nächsten PDA-Generation entwickelt wird. Ein großer Teil der PDAs wird voraussichtlich weiterhin eine Kapazität von 32 MByte DRAM oder weniger bieten, wofür sich das 128-Mbit Mobile-RAM ideal eignet. Es gibt jedoch Anzeichen für eine wachsende Zahl von Systemen der höheren Kategorie, die ab dem nächsten Jahr eine DRAM-Kapazität von 64 MByte aufweisen werden. Mit dem 256-Mbit Mobile-RAM der neuen Generation wird dieser Speicherausbau mit lediglich zwei FBGA-Gehäusen realisiert werden können.

Verfügbarkeit, Preis, Gehäuse

Die ersten Muster des 128-Mbit Mobile-RAMs sind zum Einzelpreis von 15,50 Euro verfügbar. Die Aufnahme der Stückzahlproduktion ist für Ende 2001 geplant. Die ersten Muster des 128-Mbit Mobile-RAMs sind neben dem FBGA-Gehäuse auch im Standard-TSOP-Gehäuse erhältlich, um Kunden mit Entwicklungshardware für dieses Gehäuse die Systemevaluation zu erleichtern. Die Serienproduktion wird nur im platzsparenden FBGA-Gehäuse angeboten werden.

Weitere Informationen über Infineons Mobile-RAM einschließlich Datenblatt und Simulationsmodell finden Sie unter: www.infineon.com/mobile-ram

Über Infineon

Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Anwendungen in der drahtgebundenen und mobilen Kommunikation, für Sicherheitssysteme und Chipkarten, für die Automobil- und Industrieelektronik, sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 29.000 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2000 (Ende September) einen Umsatz von 7,28 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com