Infineon Technologies stellt ultra-rauscharmen Verstärker in SiGe-Technologie für UMTS- und andere Mobilfunk-Anwendungen vor

München, 25. September 2001 – Infineon Technologies stellt erste Muster des integrierten Low Noise Amplifier (LNA) BGA622 zur Verfügung. Der BGA622 ist speziell für die hohen Linearitäts- und Empfindlichkeits-Anforderungen heutiger und künftiger drahtloser Kommunikations-Anwendungen wie GSM, GPS, UMTS und drahtlose lokale Netze konzipiert. Auf Basis der bipolaren Silizium-Germanium-Prozesstechnologie B7HF von Infineon erreicht der neue Chip äußerst geringe Rauschwerte und eine hohe Verstärkung, so dass die Voraussetzungen für zuverlässige und leistungsfähige Mobilkommunikations-Anwendungen gegeben sind.

„Der BGA622 trägt speziell den besonderen Anforderungen in Bezug auf hohe Linearität, geringes Rauschen und niedrige Leistungsaufnahme Rechnung“, sagte Thomas Pollakowski, Vice President und General Manager Discretes bei Infineon Technologies. „Der Baustein ist daher eine ideale Lösung für Mobilfunkanwendungen mit Frequenzen bis 6 GHz. Mit der Einführung dieses neuen Hochleistungs-LNA unterstreicht Infineon seine Stärke auf dem Gebiet der Prozesstechnologien und seine Fähigkeiten als Anbieter von Lösungen für mobile Kommunikations-Applikationen mit hohen Stückzahlen. Unseren Kunden ermöglichen wir damit kurze Markteinführungszeiten.”

Der High-End-Verstärker zeichnet sich durch eine Verstärkung von 15 dB und ein äußerst geringes Rauschen von 1,1 dB bei 2,1 GHz aus. Dies ist in der gesamten Industrie ein neuer Bestwert für in Serie produzierte LNAs in SiGe-Technologie. Der BGA622 profitiert dabei von der hohen Leistungsfähigkeit der SiGe-Prozesstechnologie B7HF, die Transitfrequenzen bis 75 GHz ermöglicht. Außerdem bietet der neue LNA angepasste Ein- und Ausgänge und kommt im praktischen Einsatz ohne zusätzliche externe Bauelemente aus. Die geringe Stromaufnahme und die integrierte Ein/Aus-Funktion sorgen für eine niedrige Leistungsaufnahme und verleihen 3G-Handys eine verlängerte Standby-Zeit.

Als „plug-and-play“-fähiger Verstärkerblock lässt sich der BGA622 mit jedem 2G- oder 3G-Transceiverchip auf dem Markt verbinden, um im Frequenzbereich von 900 MHz bis 6 GHz eine Verbesserung der Verstärkungs- und Rauscheigenschaften zu erzielen.

Verfügbarkeit

Der Low Noise Amplifier BGA622 ist im miniaturisierten SOT343-Gehäuse in Musterstückzahlen verfügbar. Die Serienfertigung wird im November 2001 aufgenommen.

Über Infineon

Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Anwendungen in der drahtgebundenen und mobilen Kommunikation, für Sicherheitssysteme und Chipkarten, für die Automobil- und Industrieelektronik, sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 29.000 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2000 (Ende September) einen Umsatz von 7,28 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com