Infineon Technologies stellt neue PIN-Dioden für die Frequenzumschaltung in drahtlosen Applikationen vor

02.10.2001 | Market News

München, 2. Oktober 2001 – Infineon Technologies stellte heute mit den Bausteinen BAR88-02L und BAR89-02L eine neue leistungsfähige PIN-Dioden-Familie vor. Diese PIN-Dioden setzen neue Maßstäbe für das Design von Antennenschaltern in 2.5G- und 3G-Mobiltelefonen sowie für Bluetooth- und drahtlose LAN-Applikationen. Beide Dioden bieten eine äußerst geringe Stromaufnahme für erweiterte Stand-by- und Sprechzeiten in Mobiltelefonen. Die neue Produktfamilie ist für das Design von verlustarmen Antennenschaltern (Umschalten zwischen Senden und Empfangen) auch hinsichtlich künftiger Anforderungen ausgelegt.

„In den letzten Jahren wurden Antennenweichen eingesetzt, die mit 10 mA arbeiten. Entsprechend den geänderten Marktanforderungen stellt Infineon jetzt seinen Kunden PIN-Dioden zur Verfügung, die nur noch 3 mA oder weniger benötigen“, sagte Thomas Pollakowski, Vice President und General Manager für Diskrete Bauelemente bei Infineon Technologies. „Sowohl BAR88-02L als auch BAR89-02L bieten ausgezeichnete Spezifikationen in Bezug auf harmonische Unterdrückung, Einfügedämpfung und Isolation. Sie sind ideal für drahtlose Applikationen mit geringer Leistungsaufnahme.“

Die Diode BAR89-02L ist optimiert für einen geringen Vorwärtswiderstand und damit für eine geringe Einfügedämpfung in Frontend-Modulen, während die Version BAR88-02L für Applikationen mit extrem geringer Stromaufnahme ausgelegt ist. Beide Dioden werden in dem neuen TSLP-2-Gehäuse von Infineon geliefert, bei dem parasitäre Effekte deutlich reduziert sind. Dies ist besonders wichtig für alle Bauelemente, die im Funkfrequenzbereich von bis zu 2,5 GHz arbeiten, was für alle wichtigen Mobilfunk- und mobile Internet-Standards wie 2.5G oder 3G der Fall ist. Mit Abmessungen von nur 1,0 mm x 0,6 mm x 0,4 mm reduziert das TSLP-Gehäuse außerdem die erforderliche Boardfläche, auch ein wichtiges Kriterium für mobile 2.5G- und 3G-Applikationen.

Verfügbarkeit


Muster der PIN-Diode BAR89-02L sind bereits verfügbar, Muster der Version BAR088-02L sind ab November 2001 erhältlich. Die Volumenproduktion ist für Dezember 2001 (BAR089-02L) bzw. Januar 2002 (BAR088-02L) geplant.

Hintergrundinformationen zu PIN-Dioden


PIN-Dioden werden u.a. für das Schalten und die Dämpfung von Hochfrequenzsignalen eingesetzt. Grundsätzlich ist der Bereich zwischen der P-dotierten und der N-dotierten Zone der Diode undotiert und wird daher als „intrinsic“ (eigenleitend, das „I“ in der Abkürzung PIN) bezeichnet. Liegt eine Vorwärts-Bias-Versorgung an der Diode an, dann entstehen eine Anzahl von Elektronen und Ionen in der I-Region und ermöglichen einen Stromfluss. Wird die Bias-Versorgung abgeschaltet, dann dauert es etwas bis sich die Ladungsträger wieder zurückbilden und der Strom unterbrochen wird.

PIN-Dioden werden in hochvolumigen Applikationen eingesetzt. So enthält ein gängiges GSM-Mobiltelefon vier bis sechs PIN-Dioden - zwei für jedes Frequenzband.


Über Infineon


Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Anwendungen in der drahtgebundenen und mobilen Kommunikation, für Sicherheits-systeme und Chipkarten, für die Automobil- und Industrieelektronik, sowie Speicher-bauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 29.000 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2000 (Ende September) einen Umsatz von 7,28 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com

Informationsnummer

INFWS200110.005e

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  • Infineon Technologies Introduces New PIN Diodes for Antenna Switch Designs in Wireless Applications
    Infineon Technologies Introduces New PIN Diodes for Antenna Switch Designs in Wireless Applications
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