Führende Rolle bei Technologie und Produktionskosten untermauert - Infineon Technologies nimmt Serienproduktion von 256-Megabit-DRAMs in 0,14 µm-Technologie auf und startet Bemusterung von 512-Megabit-DRAMs

18.10.2001 | Market News

München, 18. Oktober 2001 – Infineon Technologies kündigte heute die Einführung der 0,14 µm-Technologie in die Serienfertigung seiner DRAMs (dynamische Speicher) an. Die Volumenproduktion von 256-Megabit-Speicherkomponenten in dieser Technologie ist angelaufen. Außerdem hat Infineon erste Muster der neuen hochintegrierten 512-Megabit-SDRAMs, die ebenfalls in der 0,14 µm-Technologie gefertigt werden, bereits an erste strategische Partner geliefert.

Die neue 0,14 µm-Fertigungstechnologie, die 18 Prozent kleinere Strukturen aufweist als der bisherige Fertigungsprozess mit 0,17 µm, führt zu einem Kostenvorteil von etwa 30 Prozent.

Der neue Prozess wird bereits seit September in Infineons 200-mm-Fertigung in Dresden genutzt und nun in der Volumenproduktion von 256-Megabit-DRAMs eingesetzt. Die übrigen zwei Produktionsstätten, die mit Dresden das „Fab Cluster“ von Infineon bilden, nämlich das Werk in Richmond, Virginia (USA) und ProMOS Technologies - dem Joint-Venture-Unternehmen in Hsinchu, Taiwan - befinden sich in den letzten Phasen der Vorbereitungen, um den 0,14 µm-Prozess ebenfalls zu nutzen.

„Mit der Produktionseinführung unseres 0,14 µm-Prozesses unterstreicht Infineon zum wiederholten Male seine technologisch führende Position bei DRAM-Speichern“, sagte Dr. Andreas von Zitzewitz, Mitglied des Vorstands und Chief Operating Officer von Infineon Technologies AG. „Mit dieser Version unseres 256-Megabit-DRAMs fertigen wir nicht nur den derzeit kleinsten 256-Megabit-Chip in der Industrie, sondern erreichen auch die günstigsten Produktionskosten.“

Durch die derzeit laufende Übertragung der 0,14 µm-Technologie auf die 300-mm-Produktionslinien wird Infineon seine Produktionskosten um weitere rund 30 Prozent reduzieren können. Die 300-mm-Fertigung in Dresden hat mit der Vorserienproduktion bereits begonnen. Zu Beginn des kommenden Jahres wird dann die Serienproduktion in 0,14 µm-Technik aufgenommen. Das ProMOS-Joint-Venture wird ein bis zwei Quartale später folgen, wobei die Erfahrungen aus dem Produktionsstart in Dresden den Hochlauf nochmals beschleunigen werden.

„Unsere einzigartige 'Trench‘-Zellentechnologie liefert bei vergleichbaren Architekturen und DRAM-Größen ungefähr 10 Prozent kleinere Chips als andere Zellentechnologien“, unterstrich Harald Eggers, Senior Vice President und General Manager der Memory Products Group von Infineon Technologies AG, die technologische Dimension. „Die Kombination aus dieser DRAM-Zelle und dem hochintegrierten 0,14 µm-Prozess verbessert unsere Fertigungskosten in sehr starkem Maße. Infineon wird, unabhängig von den Marktbedingungen, immer alles unternehmen, um die Kostenstruktur insbesondere der hochvolumigen Produkte wie etwa dem 256-Megabit-DRAM nach Möglichkeit zu verbessern. Das 256-Megabit-SDRAM ist nur der Anfang einer portfolioweiten Technologie-Aufrüstung, mit der wir wiederum von den 'Economies of Scale‘ profitieren werden, indem wir wie bisher praktisch alle Speicher-Produkte in derselben Prozesstechnologie fertigen.“

Infineons Schlüsselkunden haben Muster des 256-Megabit-SDRAMs in 0,14 µm-Technologie bereits seit dem Sommer getestet und zum Teil schon qualifiziert. Zu den ersten Unternehmen, die ihre Qualifikationsuntersuchungen abgeschlossen haben, gehören die Intel Corporation und einige der größten PC-Hersteller. Intel hat Infineons 'Unbuffered‘-Module mit der neuen 256-Megabit-SDRAM-Version in die Liste der qualifizierten Speichermodule für das Desktop-Board D845HV für den Pentium 4-Prozessor aufgenommen. Mehr Informationen dazu sind auf der folgenden Internet-Seite verfügbar: www.intel.com/design/motherbd/hv/hv_internalmem.htm.

Die dort aufgeführten 512-Megabyte-Module mit PC133 CL-2 von Infineon stellen die ersten PC133-Module eines Herstellers dar, die auf 256-Megabit-Komponenten beruhen und alle erforderlichen Tests bei CAS-Latency 2 bestanden haben, während alle anderen vergleichbaren Module lediglich für CAS-Latency 3 zugelassen wurden.

Ein steter Hochlauf der 256-Megabit-Produktion in 0,14 µm-Technik ist geplant. Infineon wird seinen Kunden einen problemlosen Übergang von den bisherigen 0,17 µm-Produkten ermöglichen und den Wechsel auf die neue Generation über einen längeren Zeitraum hinweg vornehmen. Damit sollen alle Abläufe der Qualifikation, der Beschaffung und der Logistik bei den Kunden an die neuen Produkte angepasst werden können.

Weitere Informationen über Infineons DRAM-Produkte finden Sie unter der folgenden URL: www.infineon.com/memory


Über Infineon


Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Anwendungen in der drahtgebundenen und mobilen Kommunikation, für Sicherheitssysteme und Chipkarten, für die Automobil- und Industrieelektronik, sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 29.000 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2000 (Ende September) einen Umsatz von 7,28 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com

Informationsnummer

INFMP200110.001e