IDW75E60

综述

600V IGBT，采用反并联二极管，TO-247 封装

600 V, 75 A 发射极控制硅二极管具有  TO-247 封装，主要为高达 30kHz 的 电机驱动应用设计。

特征描述

  • 极低VF 值
  • 市面上最软的二极管
  • 质量符合 JEDEC 标准
  • 封装温度更低，效率更高
  • 优化电磁干扰行为
  • 成本和性能之间实现出色平衡
  • 低通态损耗
  • 容易并联

潜在应用

图表
支持