CoolSiC™产品

出色的可靠性、多样性和系统优势。来自英飞凌的碳化硅技术!

作为在碳化硅(SiC)技术开发领域拥有20多年传统的领先的功率半导体供应商,我们能很好地满足对更智能、更高效发电、输电和用电的需求。我们的专家了解如何降低系统复杂性,从而降低中大功率系统的成本和规模。

凭借我们满足最高质量标准的丰富的产品组合,可以保证实现较长系统使用寿命并带来高可靠性。英飞凌拥有完整的供应链,并提供针对硅、氮化镓和碳化硅的全面设计支持。与值得信赖的碳化硅供应商英飞凌开展合作,并积极参与技术革新——不管您的个性化设计及系统要求是什么。.

CoolSiC™ portfolio


关于英飞凌碳化硅产品组合的更多信息

我们不断在现有硅器件基础上进行碳化硅产品(包括沟槽技术领域革命性的CoolSiC™ MOSFET)的扩展。如今,英飞凌可提供业界最全面的功率产品组合,从超低压到高压功率器件等不一而足。

 

我们不仅要确保提供最适合的解决方案,还要进一步优化基于碳化硅的产品,以满足特定的应用需求 以满足特定的应用需求。鉴于使用隔离栅极输出段可以更轻松处理超快开关功率晶体管(如CoolSiC™ MOSFET),我们为客户提供了基于英飞凌无芯变压器技术的完美匹配的电隔离EiceDRIVER™栅极驱动IC。

 

我们近年来生产出数百万个混合模块(快速硅基开关与CoolSiC™肖特基二极管的组合),具备了极佳的技术专长和能力建设优势,并进一步加强了我们的技术领先地位 。

获胜团队:CoolSiC™ MOSFET和EiceDRIVER™

为通过使用碳化硅MOSFET实现最大的系统效益,建议用英飞凌的EiceDRIVER™栅极驱动IC来补充英飞凌的CoolSiC™MOSFET,以充分利用碳化硅技术的优势。提高效率、节省空间并减轻重量、减少零件数量和增强系统可靠性,将成为所带来的积极影响。

 

客户可以选择不同的EiceDRIVER ™栅极驱动器类型,包括:

  • 单沟道高边紧凑型栅极驱动器
  • 支持短路保护的单输出和双输出增强型驱动器
  • 摆率控制高边驱动器,可满足最严格的要求

20多年的实际经验使我们成为可靠的合作伙伴

Silicon Carbide (SiC) Forum

SiC论坛为您提供了交流想法并分享经验的平台,在这里我们的SiC器件及应用专家为您提供有关CoolSiC™ MOSFET模块和单管的建议。

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