SLE 66R35
综述
智能1 kByte内存芯片
- SLE 66R35I 4字节固定非唯一编号(FNUID)
- SLE 66R35R 4字节,固定重用标识号(r-ID)
- SLE 66R35E7 7字节唯一标识号(UID)
特征描述
非接触式接口
- 符合 ISO/IEC ISO/IEC 14443-2 和-3 Type A型标准的物理接口和防撞保护
– 工作频率13.56 MHz;数据速率106 kbit / s
– 非接触式数据传输和能源供应
– 防撞逻辑:可以在现场同时操作几张卡
- 读和写距离可达 10cm 或更长(受外部电路(例如,读取器和嵌体设计)影响)
- 交易时间短:典型的票务交易<100ms;卡片移动时可能进行交易
1 kByte EEPROM
- 区块内存组织,16个扇区,每个扇区固定4个块,每个16字节
- EEPROM每块的更新时间小于4 ms
- 能够承受> 100,000 次擦除/写入循环(数值取决于温度)
- 数据保留期> 10年
- 用户可定义每个内存块的访问条件
安全功能
- SLE66R35I:4字节固定非唯一编号(FNUID)
- SLE66R35R:4字节固定重用身份号码(r-ID),先前发出的4字节UID
- SLE 66R35E7: 7 字节唯一识别码 (UID)。根据ISO / IEC 14443-3 A类支持4字节随机数(RND-ID)和4字节固定非唯一编号(FNUID)
- 卡和读卡器之间的相互三次传递签证,以确保基本安全
- 48位密钥长度
- 每个扇区 2 个密钥,支持钥管理
–芯片交付时传输密钥
- 选择性内存访问通过身份验证和访问条件进行保护
- 适用于多功能应用:每个EEPROM扇区的单独密钥集
- RF通道的数据加密
- 专用数值读数器
- 由CRC,奇偶校验等支持数据完整性
电气特性
- 芯片电容 18.3 pF ± 10%
- ESD 保护 典型值为 2 kV
- 芯片环境温度 -25°C至70°C
支持