Ultra Low-Noise SiGe:C Transistors for use up to 12 GHz

在该类别中，您可以找到基于英飞凌高度可靠技术的超低噪宽带放大器（LNA）第六代、第七代大容量以及第八代SiGe产品。其内部晶体管单元结构经过优化，可在高频率环境下获得同类产品中最佳的功率增益和噪声指数。工业标准SOT343封装、迷你型平引脚TSFP-4-1封装和无引脚TSLP-3-9封装（尺寸仅为1.0mm x 0.6mm x 0.31mm）可满足不同尺寸和高度的需求。采用迷你型无引脚TSLP封装（名称以BFR开头）的晶体管高度仅为0.32mm，适用于射频模块。

稳健的超低噪SiGe产品：C晶体管在输入端和输出端均配有保护结构。这种方案有以下两点优势：首先，ESD鲁棒性显著增强从而使组装成品率更高并且有利于系统层面ESD鲁棒性的改善。其次，所有这些器件均可承受较高的射频输入功率。

请注意：
在这里提到的G_max适用于1.8 GHz频率。噪声系数NF_min是在噪声匹配测试中的输入端测得，这些数值同样适用于低频环境。OIP3和OPI1dB数值是在50欧姆系统中测得的，可以通过选择合适的负载阻抗实现优化。