BFR460L3

综述

NPN 硅射频晶体管，适用于低电压/低电流应用

特征描述

  • 适用于VCO模块和低噪声放大器
  • 低噪声系数：1.1 dB @ 1.8 GHz
  • SMD 无铅封装
  • 出色的 ESD 性能典型值 1500V (HBM)
  • 高 fT, 22 GHz
  • 无铅，符合 (RoHS )封装
  • 根据AEC-Q101提供的认证报告

潜在应用

  • 无线通信
  • 射频前端放大器和振荡器应用
支持