BFR460L3
综述
NPN 硅射频晶体管,适用于低电压/低电流应用
特征描述
- 适用于VCO模块和低噪声放大器
- 低噪声系数:1.1 dB @ 1.8 GHz
- SMD 无铅封装
- 出色的 ESD 性能典型值 1500V (HBM)
- 高 fT, 22 GHz
- 无铅,符合 (RoHS )封装
- 根据AEC-Q101提供的认证报告
潜在应用
- 无线通信
- 射频前端放大器和振荡器应用
支持
NPN 硅射频晶体管,适用于低电压/低电流应用
特征描述
潜在应用