Home 产品分类 射频与无线控制 射频晶体管 Low Noise RF Transistors BFR460L3 BFR460L3 综述 NPN 硅射频晶体管,适用于低电压/低电流应用 特征描述 适用于VCO模块和低噪声放大器 低噪声系数:1.1 dB @ 1.8 GHz SMD 无铅封装 出色的 ESD 性能典型值 1500V (HBM) 高 fT, 22 GHz 无铅,符合 (RoHS )封装 根据AEC-Q101提供的认证报告 潜在应用 无线通信 射频前端放大器和振荡器应用 指标参数 文件 订单 设计支持 视频 合作伙伴 培训 包装 支持 联系