BFP540FESD
综述
NPN 硅射频晶体管,适用于带静电放电保护的高增益低噪声放大器
特征描述
- 优秀的静电放电保护性能,典型值为 1000 V (HBM) 优秀的 Gms = 20 dB 噪声系数 F = 0.9 dB
- SIEGET® 45 - 线
- 无铅(符合 ROHS)封装
- 根据AEC-Q101提供的认证报告
- *短期说明
潜在应用
- 无线通信
- 射频前端放大器和振荡器应用
支持