BFP540FESD

综述

NPN 硅射频晶体管，适用于带静电放电保护的高增益低噪声放大器

特征描述

  • 优秀的静电放电保护性能，典型值为 1000 V (HBM) 优秀的 Gms = 20 dB 噪声系数 F = 0.9 dB
  • SIEGET® 45 - 线
  • 无铅（符合 ROHS）封装
  • 根据AEC-Q101提供的认证报告
  • *短期说明

 

潜在应用

  • 无线通信
  • 射频前端放大器和振荡器应用
支持