Home 产品分类 射频与无线控制 射频晶体管 High Linearity RF Transistors BFP196WN BFP196WN 综述 采用4引脚双发射极SOT343封装的NPN硅平面外延晶体管,适用于低噪声和低失真宽带放大器。受益于英飞凌在射频元件方面的长期经验,这款射频晶体管将易用性与稳定的批量生产相结合,具有基准质量和可靠性。 特征描述 适用于高压应用,VCE <12 V. 最大功率Ptot = 700 mW 转换频率 fT = 7.5 GHz 噪音系数 NFmin= 1.3 dB @ 900 MHz 无铅(符合 RoHS 标准),无卤素 工业标准 SOT343 封装,带可见引脚 潜在应用 GNSS有源天线 天线和电信系统中的放大器 CATV DECT 和 PCN 系统功率放大器 指标参数 文件 订单 设计支持 视频 合作伙伴 培训 包装 支持 联系