增强现实与数字世界的连接BGSX210MA18
综述
DP10T 分集交叉开关，适用于载波聚合应用
BGSX210MA18 RF CMOS 开关专为 LTE 载波聚合应用而设计。DP10T 的插入损耗和谐波产生较低。此外，两个端口具有交叉功能，可为载波聚合应用提供更高的灵活性。
该开关通过 MIPI RFFE 控制器控制。片上控制器允许的电压范围为：1.1V 至 1.95 V。该开关可以直接连接电池，具有无直流 RF 端口。与 GaAs 技术不同，只有在外部施加直流电压时才需要 RF 端口的外部直流隔离电容器。BGSX210MA18 射频开关采用英飞凌专利的MOS技术制造，具有经济性和传统CMOS集成度，具有固有的更高ESD稳健性，可提供GaAs的性能。该设备有一个非常小型的尺寸，仅为 2.0 x 2.4mm2，最大厚度为 0.6 mm.
特征描述
- 业界首款灵活的载波聚合交换机，通过2个端口的交叉交换机功能
RF CMOS DP10T 分集开，功率处理能力高达 27 dBm
- 设备配置 SP5T/SP5T, SP4T/SP6T 和 SP6T/SP4T，具有交叉开关功能
- 适用于 LTE 载波聚合应用
- 超低插入损耗和谐波产生
- 覆盖 0.1 至 3.8 GHz
- 端口到端口的高度绝缘
- 如果在 RF 线路上没有施加直流电，则不需要去耦电容器
- 集成 MIPI RFFE 接口，工作电压范围为 1.1 到 1.95 V
- 软件可编程 MIPI RFFE USID 无铅和无卤素封装 ATSLP-18，横向尺寸为 2.0mm x 2.4mm，厚度为 0.6mm
- 无需电源阻断
- 高电磁抗扰度 (EMI) 可靠性
- 封装符合 RoHS 和 WEEE
潜在应用
RF CMOS 开关专为 LTE 载波聚合应用而设计。
支持
