BGA8V1BN6
综述
BGA8V1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器，覆盖 3.3 Ghz 至 3.8 Ghz 的宽频率范围。在应用配置中，LNA 在 4.2mA 的电流消耗下提供 15.0 dB 增益和 1.2 dB 噪声系数。在旁路模式下，LNA 提供 -5.3 dB 的插入损耗。
BGA8V1BN6 基于英飞凌科技 B9HF 硅锗技术。它采用 1.6 V 至 3.1 V 电源供电。该设备具有多状态控制(关闭，旁路和高增益模式)。
特征描述
- 插入功率增益：15.0 dB
- 旁路模式下的插入损耗：5.3 dB
- 低噪声系数：1.2dB
- 低电流消耗：4.2mA
- 运行频率：3.3 - 3.8 GHz
- 多态控制：关闭，旁路和高增益模式
- 电源电压：1.6 V 到 3.1 V
- 极小的 TSNP-6-2 无铅封装 (封装尺寸: 0.7 x 1.1 mm2)
- B9HF 锗硅技术
- 射频输入和RF输出内部与 50 Ohms 匹配
- 无需外部 SMD 部件
- 2kV HBM ESD 保护（包括 AI -引脚）
- 无铅，符合 (RoHS )封装
潜在应用
LTE 42 频段和 43 频段
支持
