BGA7H1BN6

综述

BGA7H1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器，覆盖 1805 MHz 至 2690 Mhz 的宽频率范围，工作电压为 1.5 V 至 3.3 V。该器件具有单线双态控制（旁路和高增益模式），可以通过关断 Vcc 来启用关闭状态。

特征描述

插入功率增益：12.3 dB
低噪声系数：0.85 dB
低电流消耗：4.3 mA
旁路模式下的插入损耗：-3.1 dB
运行频率：1805 - 2690 MHz
两态控制：旁路和高增益模式
电源电压：1.5 V 到 3.6 V
数字开启/关断开关( 1V逻辑高电平)
极小的 TSNP-6-2 无铅封装 (封装尺寸: 0.7 x 1.1 mm2)
B7HF 锗硅技术
射频输出内部与 50Ω 匹配
只需1个外部 SMD 部件
无铅(符合 RoHS )的封装

潜在应用

用于智能手机、功能手机、平板电脑和射频前端模块的 LTE 接收的低噪声放大器。

支持