特性、优势和应用

TOLx 封装系列 —— 采用 TOLL、TOLG 及 TOLT 封装的英飞凌功率 MOSFET

关键特性

  • 低 RDS(on)
  • 高额定电流
  • 相较于 D²PAK，具备低铃振效应和低电压过冲

主要优势

  • 减少导通损耗
  • 高功率密度
  • 系统效率
  • 使用寿命更长
  • 低开关损耗和低 EMI，效率更高

目标应用

TOLL 封装

Infineon package image TOLL MOSFET
  • 关键特性：较 D2PAK 7 引脚封装，占板面积减少 60%
  • 主要优势：高功率密度

TOLG 封装

Infineon package image TOLG MOSFET
  • 关键特性：较 D2PAK 7 引脚封装，占板面积减少 60%
  • 主要优势：高功率密度和出色的板上热循环 (TCoB) 性能

TOLT 封装

Infineon package image TOLT MOSFET
  • 关键特性：顶部散热，负引脚本体高差
  • 主要优势：热性能优越，可最大限度降低到散热片的热阻