品质因数：栅极电荷 (Q_g) 和 R_DS(on)

总栅极电荷 (Q_g) 是指在特定条件下，为导通（驱动）MOSFET 而注入到栅极的电荷量。高开关频率应用尤为需要较低的 Q_g 值，因其将直接影响驱动损耗。

栅漏电荷 Q_gd 代表与米勒平台延长相关的栅极电荷部分，用于实现漏极电压转换。针对同一驱动电路，较低的 Q_gd 意味着电压瞬变更快速，因此可降低开关损耗。这对高开关频率的硬开关式 SMPS 而言至关重要，其中开关损耗影响颇大。

MOSFET“品质因数”(FOM) 是兼顾导通和开关损耗的技术性能指标。其计算公式为导通电阻 (R_DS(on)) 乘以总栅极电荷 (Q_g)，通常用 mΩ x nC 表示。

为何品质因数是一项重要的技术评估参数？

R_DS(on) 是衡量导通损耗的指标，另一方面，总栅极电荷 Q_g 则同时影响着驱动损耗和部分开关损耗。为尽可能减少总损耗，需一并降低 R_DS(on) 和 Q_g。

针对每种技术，FOM = R_DS(on) x Q_g 均为给定数值：除非同时改善 FOM，否则无法在不影响电荷量的情况下改善 R_DS(on)。

相较于 OptiMOS™ 5 100 V，OptiMOS™ 6 100 V 的 FOM 有明显改善，幅度达 30%。换言之，在 R_DS(on) 相同的情况下，OptiMOS™ 6 100 V 的 Q_g 将比 OptiMOS™ 5 100 V 低 30%。

与 FOM 类似，栅漏电荷品质因数 FOM_gd 也是一项同时考虑导通和开关损耗的技术性能指标。其计算公式为导通电阻 (R_DS(on)) 乘以栅漏电荷 (Q_gd)，通常用 mΩ x nC 表示。 

为何 FOM_gd 是一项重要的技术评估参数？

R_DS(on) 是衡量导通损耗的标准，而栅漏电荷 Q_gd 则会影响开关损耗（尤其是关断期间）。为尽可能减少总损耗，需一并降低 R_DS(on) 和 Q_gd。

相较于 OptiMOS™ 5 100 V，OptiMOS™ 6 100 V 的 FOM_gd 有显著改善，幅度达 42%。换言之，R_DS(on) 相同的情况下，OptiMOS™ 6 100 V 的 Q_gd 将比 OptiMOS™ 5 100 V 低 42%。