照明应用

较高的效率、易于使用和EMI性能加上有吸引力的成本优势使得CoolMOS™CE系列成为降压、反激、PFC和LLC拓扑结构中的LED驱动器或LED灯管的理想选择。它在效率和热性能方面都比标准MOSFET有所提升。

针对照明应用的CoolMOS™产品具有最高的质量和交付可靠性,正如CoolMOS™产品系列概述章节中所述。CoolMOS™CE系列已定义为特别专注于客户需求、有吸引力的价格和最快的供货能力。

采用SOT-223封装的CoolMOS™CE

随着从CFL向LED照明的快速转变,客户需求也在迅速改变:一方面,功率水平进一步降低,另一方面,增加的成本压力迫使功率设计人员将设计优化到一分一厘。采用SOT-223封装的CoolMOS™CE产品系列是英飞凌对这一挑战的响应:本系列产品促使BOM成本进一步降低,而且在一些设计中额外优化了尺寸,仅在热性能方面做了轻微的妥协。

以较低的成本,SOT-223可以直接替换DPAK

采用SOT-223封装与DPAK的尺寸完全兼容,因此允许一对一直接替换和第二货源。

热性能–与DPAK持平

SOT-223的热性能主要取决于使用此封装的电路板布局和消耗的功率。我们在测试环境中测量了散热,并与仿真结果进行了比较。与典型DPAK封装中的DPAK比较,SOT-223显示出以下热行为.

> 与DPAK相同的尺寸–以标准DPAK尺寸贴装时,SOT-223封装显示温度提升4–5度。此方法使SOT-223适合具有温度裕量的设计

> DPAK尺寸+ ~20mm2额外覆铜面积–在许多设计中,MOSFET安装在较大的覆铜区域(作为PCB内的嵌入式散热)内。只要在DPAK尺寸外还有20mm2或更大面积的铜,比DPAK封装器件温升就不会超过2–3度,且SOT-223可直接替换DPAK

> SOT-223封装器件焊接于SOT-223大小PCB上–在SOT-223大小的PCB周围没有额外的覆铜区域时,与DPAK相比,此封装可导致10°C的温度提升。这意味着,选择通过SOT-223节省空间只对低功率的应用有用

对热性能的实验室检测结果由热仿真证实,环境温度= 70°C,功率损耗= 250mW。X轴显示了覆铜区域的大小,Y轴显示了封装顶部的温度。在SOT-223封装器件焊接于DPAK PCB尺寸的案例中,确认比DPAK封装器件温度提升4–5度。但是,在将覆铜区域扩大约20mm²时,测量到温升2–3度。

采用SOT-223封装的500V/600V/650V/700V CoolMOS™ CE

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RDS(on)[mΩ] 500V 600V 650V 700V
3400   IPN60R3K4CE    
3000 IPN50R3K0CE      
2000/2100 IPN50R2K0CE IPN60R2K1CE   IPN70R2K1CE
1400/1500 IPN50R1K4CE IPN60R1K5CE IPN65R1K5CE IPN70R1K5CE
950/1000 IPN50R950CE IPN60R1K0CE   IPN70R1K0CE
800 IPN50R800CE      
650 IPN50R650CE