智能手机和平板电脑以及其他移动应用的充电器需要越来越高的输出功率，于此同时要求外形尺寸不变或更小，从而导致功率密度越来越高以及对于热管理、EMI和整体系统成本的严格要求。例如，许多OEM要求开放式外壳的设备温度低于90°C，封闭式外壳的温度低于50°C。

对于此应用，英飞凌推荐700V的CoolMOS™CE超级结MOSFET，领先的充电器OEM和设计公司在他们的充电器应用中都使用此系列产品。与平面型MOSFET相比，700V CoolMOS™CE具有更低的开关损耗，因此效率更高，同时满足EMI 标准和振荡要求。英飞凌开发了许多参考设计，来帮助客户简化充电器设计，因此能够加快上市时间（参见本节结束时的参考设计选型表）。

700V CoolMOS™CE的价值定位：

高效，满足效率应用要求
在散热方面保留足够的安全余量，适用于10W-25W充电器
良好的EMI性能–满足EMI EN55022B标准而无需进行额外的设计工作
具备良好的可控性（通过栅极电阻）易于使用
标称700V的大击穿电压（以及额外的保护带典型值），在电压尖峰时保证安全

英飞凌CoolMOS™CE比平面型MOSFET提供更高的效率和更好的散热性能：在15 W QC 2.0充电器中用英飞凌2.0Ω CoolMOS™CE替换1.6Ω平面型MOSFET时，我们测量到效率提高了≥0.2%。同时，MOSFET温度降低了7°C，显示出了在充电器应用中使用CoolMOS™CE的明显优势。

CoolMOS™CE同样适用于24 W快速充电器，可提供出色的效率，例如采用IPS70R950CE。除了效率，它还满足其他规格需求。通过英飞凌的样品中心可以订购该电路板。

此图显示CoolMOS™CE在10W和15W充电器应用中的EMI性能。CoolMOS™CE能够满足EMI要求，从而提供设计导入灵活性。

RDS(on)[mΩ]	TO-262 (I2PAK)	TO-251 (IPAK SL)	TO-251 (IPAK ISO Standoff)	TO-252 (DPAK)	ThinPAK 5x6	SOT-223	TO-220 FP Wide Creepage
600		IPS70R600CE	IPSA70R600CE	IPD70R600CE			IPAW70R600CE
950/1000	IPI70R950CE	IPS70R950CE	IPSA70R950CE	IPD70R950CE		IPN70R1K0CE	IPAW70R950CE
1400/1500		IPS70R1K4CE	IPSA70R1K4CE	IPD70R1K4CE		IPN70R1K5CE
2000/2100		IPS70R2K0CE	IPSA70R2K0CE	IPD70R2K0CE	IPL70R2K1CES	IPN70R2K1CE