笔记本电脑适配器领域的众多领先OEM选择CoolMOS™CE系列产品。凭借易用性、成本竞争力和交货时间短的优势以及相应的参考设计，客户可轻松地在它们的适配器中设计CoolMOS™CE产品并更快速地推向市场。

用于适配器的600V和650V CoolMOS™CE的价值定位

英飞凌采用IPD60R650CE的35W适配器：

主动模式效率与交流线路输入电压

针对EMI和效率/散热性能进行了最优化

在笔记本电脑适配器中，需要仔细权衡EMI和效率/散热性能–更高的效率/散热性能需要更快速的开关，但是会导致更差的EMI，例如由于高dV/dt (di/dt)触发的振荡。经过微小的调整，可以克服这个挑战。我们建议客户在设计导入高压超级结MOSFET时，通过以下方式优化EMI：

> 添加额外的漏源电容器CDS，例如100pF

> 调整外部R_G，例如5Ω–30Ω

> 优化PCB布局，实现从控制器到MOSFET门极的短路径和小回路电感

> 调整EMI滤波器（仅当其他措施不够时）

左图显示了调整EMI的典型范例。是在市场上常见的45 W适配器上进行的，使用平面型MOSFET。只是将平面型MOSFET替换为IPA60R800CE会导致更差的EMI性能。然而在DS脚之间并一个100pF的电容可显著提高EMI，同时满足其他规格，例如效率、温度等。

Voltage class [V]	R_DS(on)[mΩ]	TO-220 FullPAK	TO-252 DPAK
600	400	IPA60R400CE	IPD60R400CE
460	IPA60R460CE	IPD60R460CE
650	IPA60R650CE	IPD60R650CE	IPAN60R650CE
800	IPA60R800CE	IPD60R800CE	IPAN60R800CE
650	400	IPA65R400CE	IPD65R400CE
650	IPA65R650CE	IPD65R650CE	IPAN65R650CE