上海国际电力元件、可再生能源管理展览会（PCIM Asia）将于2016年6月28日-30日在上海世博展览馆举行。
作为全球领先的功率半导体供应商英飞凌将在该展会上推出大家期待已久的CoolSiC™ MOSFET技术以及新一代IGBT模块、功率二极管、晶闸管、驱动电路和对IPM作全新定义的MIPAQ-Pro。我们将展出用于1MW光伏逆变器的三电平方案、8个FF450R33TE3 XHP模块并联的实现、3kW双向储能DCDC及低速电动车解决方案。
此外，您期待已久的IGBT专著《IGBT模块：技术、驱动和应用》终于有中文版啦！在PCIM的英飞凌展台上，我们特地为您提供了一个与“它”亲密接触的机会！
敬请莅临英飞凌展位（1号展厅，A03展台）（地址：中国上海市浦东新区国展路1099号）
技术论坛及研讨会
技术论坛:
Date: 6月28日10:30-10:50
Topic: Infineon New Technology and Product Introduction
Speaker: Ziying Chen
Venue:Hall 4 room E30/4号展厅 E30会议室
技术研讨会:
Date: 6月28日11:25-11:50Venue:Room 2/会议室2
Topic: Integrating a Real Time Tvj Calculation into an IPM
Speaker: Yizheng Zhou
Date: 6月29日14:00-14:25Venue: Room 11/会议室11
Topic: Heavy Duty Applications – A Challenge for Power Semiconductor Devices
Speaker: Martin Schulz
Date: 6月28日pp01Venue: Hall 4/进口门厅4号展厅
Topic: A Method to evaluate IGBT Module Losses on System Level
Speaker: Song Chen
Date: 6月29日10:35- 11:00Venue: Room 2/会议室2
Topic: Thermal Evaluation 200A NPC2 Module for 3 Level Inverter
Speaker: Sichao Ma
Date: 6月29日pp012 Venue: Hall 4/进口门厅4号展厅
Topic: Analysis of Different IGBT Gate Driver Strategies Influencing Dynamic
Speaker: Vishal Jadhav
Date: 6月29日14:50-15:15Venue: Room 2/会议室2
Topic: A 1000A 6.5 kV Power Module Enabled by Reverse-Conducting Trench-IGBT-Technology
Speaker: Dorothea Werber
