IPB80N06S4L-05
综述
特征描述
- N 通道 - 增强模式
- AEC 认证
- MSL1 峰值回流温度高达 260°C
- 175°C 的工作温度
- 环保产品(符合 RoHS)
- 100% 经过雪崩测试
优势
- 60V 时, RDS (on)为世界极低值
- 极高的冲击电流能力
- 极低的开关功耗和传导功率损耗,造就极高的热效率
- 稳固的封装,出色的品质,高可靠性
- 优化极栅电荷总量,实现更小的驱动器输出级
潜在应用
培训
- Recognize the different types of setups in the data sheets
- Be able to calculate the junction-to-ambient thermal resistance value, the power losses, and the static DC current
本培训解释了TOLG的优势以及该封装的目标工业应用和汽车应用;并列出了当前可用的产品系列,以及您可以通过使用该封装获得哪些好处。
- 详细了解英飞凌为 48 V 微混电动汽车(MHEV)应用提供的丰富MOSFET选择
- 了解英飞凌为何以及如何加强其在40 V MOSFET市场的地位,并了解英飞凌最新的60 V MOSFET
- 了解英飞凌的“零缺陷”方法以及英飞凌如何在车规级MOSFET认证方面超越要求
- 了解英飞凌“零缺陷”方法的两个维度,该方法旨在通过详细探索每个维度来延长产品寿命,并减少随机故障
您是否在寻找功率MOSFET的替代品,并想看看英飞凌能提供些什么? 这比你想象的还要简单!
支持